| 发明名称 | 倒装芯片型半导体背面用膜 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种倒装芯片型半导体背面用膜，其形成于倒装芯片连接至被粘物的半导体元件的背面上，所述膜包括晶片粘合层和激光标识层，其中所述晶片粘合层的弹性模量(在50℃下)为10MPa以下，所述激光标识层的弹性模量(在50℃下)为100MPa以上。 | ||
| 申请公布号 | CN102153961A | 申请公布日期 | 2011.08.17 |
| 申请号 | CN201010621814.9 | 申请日期 | 2010.12.24 |
| 申请人 | 日东电工株式会社 | 发明人 | 高本尚英;松村健;志贺豪士 |
| 分类号 | C09J7/02(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L21/68(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I | 主分类号 | C09J7/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种倒装芯片型半导体背面用膜，其形成于倒装芯片连接至被粘物的半导体元件的背面上，其中所述膜包括晶片粘合层和激光标识层，和其中所述晶片粘合层的弹性模量(在50℃下)为10MPa以下，和所述激光标识层的弹性模量(在50℃下)为100MPa以上。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||