| 发明名称 | 沟槽式MOS器件的工艺监控方法及装置 | ||
| 摘要 | 一种沟槽式MOS器件的工艺监控方法及装置，所述方法包括：确定本批次沟槽式MOS器件的软击穿点和硬击穿点的栅极电压和/或栅极漏电流；对本批次待监控的沟槽式MOS器件的栅极施加检测电压并检测其栅极漏电流，所述检测电压的电压值介于所述软击穿点和硬击穿点的栅极电压之间，或对各沟槽式MOS器件的栅极施加检测电流并检测其栅极电压，所述检测电流的电流值介于所述软击穿点和硬击穿点的栅极漏电流之间。本发明能够改善工艺监控效果，准确的检测出器件的工艺漂移问题。 | ||
| 申请公布号 | CN102157414A | 申请公布日期 | 2011.08.17 |
| 申请号 | CN201110029707.1 | 申请日期 | 2011.01.27 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 刘宪周 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种沟槽式MOS器件的工艺监控方法，其特征在于，包括：确定本批次沟槽式MOS器件的软击穿点和硬击穿点的栅极电压和/或栅极漏电流；对本批次待监控的沟槽式MOS器件的栅极施加检测电压并检测其栅极漏电流，所述检测电压的电压值介于所述软击穿点和硬击穿点的栅极电压之间，或对各沟槽式MOS器件的栅极施加检测电流并检测其栅极电压，所述检测电流的电流值介于所述软击穿点和硬击穿点的栅极漏电流之间。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||