| 发明名称 | 光收发一体装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种光收发一体装置，包括：硅衬底、半导体的绝缘层及附着在所述半导体的绝缘层上的硅层；所述半导体的绝缘层设置于所述硅衬底及硅层之间；所述硅层集成有激光驱动器、跨阻放大器、限幅放大器、波导及模斑转换器；所述硅层表面附着有激光器、光检测器或雪崩光电二极管。通过将LDD、TIA、LA等光收发一体装置所需电路集成在SOI衬底上，使得光收发一体装置尺寸减小，并只需对LD、PD/APD等分立光组件进行附着装配，实现光收发一体装置的混合集成，简化了装配工艺，有效降低了光收发一体装置成本。 | ||
| 申请公布号 | CN102156333A | 申请公布日期 | 2011.08.17 |
| 申请号 | CN201010292522.5 | 申请日期 | 2010.09.21 |
| 申请人 | 华为技术有限公司 | 发明人 | 颜学进;钟德刚;易永江;付生猛;李胜平;高建河 |
| 分类号 | G02B6/42(2006.01)I;H01L27/00(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | G02B6/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 刘芳 |
| 主权项 | 一种光收发一体装置，其特征在于，包括：硅衬底、半导体的绝缘层及附着在所述半导体的绝缘层上的硅层；所述半导体的绝缘层设置于所述硅衬底及硅层之间；所述硅层集成有激光驱动器、跨阻放大器、限幅放大器、波导及模斑转换器；所述硅层表面附着有激光器、光检测器或雪崩光电二极管。 | ||
| 地址 | 518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼 | ||