发明名称 | 用于封装半导体的方法 | ||
摘要 | 提供了一种封装半导体的方法,以允许均匀涂覆晶片粘着焊膏,缩短B-阶段处理时间,以及提高晶片拾取特性和晶片粘着特性。该方法包括制备具有1,500~100,000cps粘性的晶片粘着焊膏;旋转晶圆,并且将所述晶片粘着焊膏涂敷至所述晶圆的上表面达到一预定厚度;然后将涂敷到所述晶圆上的焊膏作B-阶段处理。该方法使得可以通过替换WBL(晶圆背面层压)薄膜来降低成本,将晶片粘着焊膏均匀地涂敷至晶圆,并通过调整所排出焊膏的粘性和剂量以及旋涂仪的速度,自由地控制所涂敷的晶片粘着焊膏的厚度,以及也通过减少B-阶段处理时间缩短工艺时间。 | ||
申请公布号 | CN101689514B | 申请公布日期 | 2011.08.17 |
申请号 | CN200780052268.8 | 申请日期 | 2007.10.25 |
申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 徐準模;姜炳彦;魏京台;金载勋;成太铉;玄淳莹 |
分类号 | H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
代理机构 | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人 | 郑建晖;徐燕 |
主权项 | 一种封装半导体的方法,包括:制备具有1,500~100,000cps粘性的晶片粘着焊膏;使用晶片粘着焊膏将所述晶片粘着焊膏涂敷至晶圆的上表面达到一预定厚度;然后进行一个B‑阶段处理步骤,包括:以40~200℃热干燥所涂敷的焊膏。 | ||
地址 | 韩国首尔特别市 |