| 发明名称 | 复合覆盖层的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种复合覆盖层的制作方法，包含有提供基底、在该基底表面形成复合覆盖层。该复合覆盖层至少包含有第一覆盖层与形成于其上的第二覆盖层。在该复合覆盖层表面形成图案化的金属硬掩模层，以及进行蚀刻工艺，经由该图案化的金属硬掩模层蚀刻该复合覆盖层，在该第二覆盖层中形成至少一开口。 | ||
| 申请公布号 | CN102157441A | 申请公布日期 | 2011.08.17 |
| 申请号 | CN201110049296.2 | 申请日期 | 2007.04.25 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 陈韦志;宋述仁;许丰裕;黄俊杰;陈美玲;邱建智 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 一种复合覆盖层的制作方法，包含有以下步骤：提供基底，该基底至少包含有导电层、底层以及介电层；在该基底表面形成复合覆盖层，且该复合覆盖层至少包含有第一覆盖层与形成于该第一覆盖层上的第二覆盖层；在该复合覆盖层表面形成图案化的金属硬掩模层；以及进行蚀刻工艺，经由该图案化的金属硬掩模层蚀刻该复合覆盖层，且在该第二覆盖层中形成至少一开口。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||