| 发明名称 | 形成电磁保护半导体管芯的方法及半导体管芯 | ||
| 摘要 | 本公开涉及形成电磁保护半导体管芯的方法及半导体管芯。在一个实施例中，将半导体管芯形成为具有斜坡侧壁。在该斜坡侧壁上形成导体。 | ||
| 申请公布号 | CN102157397A | 申请公布日期 | 2011.08.17 |
| 申请号 | CN201110008696.9 | 申请日期 | 2011.01.17 |
| 申请人 | 半导体元件工业有限责任公司 | 发明人 | M·J·塞登;F·J·卡尔尼;G·M·格里瓦纳 |
| 分类号 | H01L21/56(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I;H01L23/552(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/56(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 申发振 |
| 主权项 | 一种形成半导体管芯的方法，包括：提供半导体晶片，该半导体晶片具有半导体衬底并具有多个半导体管芯，所述多个半导体管芯在所述半导体衬底上形成且被所述半导体衬底的要形成切单线的位置处的那部分相互分离，所述半导体衬底具有第一表面和第二表面；形成通过所述多个半导体管芯中的第一半导体管芯的开口，其中，所述开口具有斜坡侧壁，使得所述开口的宽度在开口的一个末端处比在所述开口的相反末端处大；以及在所述开口的所述斜坡侧壁上形成第一导体。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那 | ||