间隙壁刻蚀中消除微沟槽的方法

摘要

提供了一种形成半导体结构的方法。该方法包括提供具有基底区域的半导体基底。该方法也包括形成覆盖基底区域的垫氧化物层。该方法还包括形成覆盖垫氧化物层的停止层。进一步，该方法包括图案化顶层和垫氧化物层至暴露基底区域的一部分。另外，该方法包括在基底区域的一个暴露部分内形成沟槽，沟槽具有侧壁、一个底和一个高度。并且，该方法包括在沟槽内沉积氮化硅和氧化物交替层至至少填充沟槽，氧化物层用HDP-CVD工艺沉积。该方法还包括执行一个平坦化工艺来去除氮化硅和氧化物层的一部分。此外，该方法包括去除垫氧化物和停止层。

主权项

一种形成半导体结构的方法，包括：提供具有基底区域的半导体基底；形成覆盖基底区域的垫氧化物层；形成覆盖垫氧化物层的停止层；图案化停止层和垫氧化物层以暴露基底区域的一部分；在基底区域的所暴露的部分内形成沟槽，所述沟槽具有侧壁、底部和高度；采用HDP‑CVD工艺在沟槽内沉积氧化物层至第一高度，所述第一高度小于等于沟槽高度的80％；在沟槽内沉积氮化硅层，所述氮化硅层覆盖氧化物层并至少填满沟槽；以所述停止层作为平坦化终点，采用化学机械抛光工艺执行平坦化工艺，去除氮化硅层和氧化物层的一部分；以及去除垫氧化物层和停止层。