| 发明名称 |
超晶格纳米器件 |
| 摘要 |
本发明涉及一种超晶格纳米器件。该超晶格纳米器件包括至少一个结构单元，该结构单元包括：一第一电极，其包括一基底及形成在该基底上的一一维纳米结构；一功能层，其位于该基底上并环绕上述一维纳米结构；及一第二电极，其与该第一电极电绝缘，且该第二电极环绕上述功能层。 |
| 申请公布号 |
CN102153047A |
申请公布日期 |
2011.08.17 |
| 申请号 |
CN201110053809.7 |
申请日期 |
2005.04.22 |
| 申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
发明人 |
姚湲;褚卫国;范守善 |
| 分类号 |
B82B1/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
B82B1/00(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种超晶格纳米器件，其包括至少一个结构单元，该结构单元包括：一第一电极，其包括一基底及形成在该基底上的一一维纳米结构；一功能层，其位于该基底上并环绕上述一维纳米结构；及一第二电极，其与该第一电极电绝缘，且该第二电极环绕上述功能层。 |
| 地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |
