发明名称 |
一种应用于晶体硅太阳能电池的扩散方法 |
摘要 |
本发明公开了一种应用于晶体硅太阳能电池的扩散方法,其包括以下步骤:(1)将硅片放入扩散炉内;温度从780-810℃升至840℃-860℃,同时通入POCL3+O2+N2,12-14min;(2)当在扩散炉温度升至840-860℃,恒温2-5mim同时通入O2+N2;温度从840-860℃升至870-890℃同时通入POCL3+O2+N2,8-12min;然后将温度从870-890℃降至800℃,在降温过程中通入O2+N2;在800℃稳定2min,并通入POCL3+O2+N2;(3)将硅片从扩散炉内取出。本发明既能兼顾发射区的掺杂浓度要求,又能兼顾扩散中发射区表面浓度要求,吸杂效果好,掺杂曲线的分布更为合理。 |
申请公布号 |
CN102157606A |
申请公布日期 |
2011.08.17 |
申请号 |
CN201010613324.4 |
申请日期 |
2010.12.30 |
申请人 |
光为绿色新能源有限公司 |
发明人 |
俆英乾 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;C30B31/08(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种应用于晶体硅太阳能电池的扩散方法,其特征在于:其包括以下步骤:(1)将硅片放入扩散炉内;温度从780‑810℃升至840℃‑860℃,同时通入POCL3600‑1000sccm、O2 200‑500sccm、N2 4‑8slm,用时12‑14min;(2)当扩散炉温度升至840‑860℃,恒温2‑5min,同时通入O2 200‑500sccm、N2 5‑9slm;温度从840‑860℃升至870‑890℃,同时通入POCL3 400‑700sccm、O2 200‑500sccm、N24‑8slm,用时8‑12min;然后将温度从870‑890℃降至800℃,在降温过程中通入O2300‑800sccm、N2 5‑9slm;在800℃稳定2min,并通入POCL3 800‑2000sccm、O2 500‑1000sccm、N2 5‑12slm;(3)将硅片从扩散炉内取出。 |
地址 |
074000 河北省高碑店市新工业区光为绿色新能源有限公司 |