一种功率器件衬底背面的离子注入方法

摘要

一种功率器件衬底背面的离子注入方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在完成功率器件正面工艺步骤后，在完成离子注入(离子注入之前可对衬底背面进行减薄或不减薄处理)和离子激活后，不像传统工艺直接进行金属铝层淀积，而是采用腐蚀或研磨的方法将衬底背面减薄至杂质注入层之后再淀积金属铝层，这样能够减小后续淀积的金属铝与衬底之间的接触电阻，消除不必要的寄生多层结构，使功率器件的漏电流、通态压降和开关时间降低。本发明适用于体硅、碳化硅、砷化镓、磷化铟或锗硅等半导体材料制作的功率半导体器件。

主权项

一种功率器件衬底背面的离子注入方法，在完成功率器件正面工艺步骤后，进行包括下述步骤的操作：步骤1：在功率器件衬底背面注入硼或磷杂质离子；步骤2：杂质离子激活；步骤3：功率器件衬底背面减薄至杂质注入层；步骤4：采用溅射或者蒸发方法在功率器件衬底背面生长金属铝层。