发明名称 发光二极管封装结构及其制作方法
摘要 本发明是一种发光二极管封装结构及其制作方法。该发光二极管封装结构包括一承载器、一发光二极管芯片、一封装胶体以及一非密闭的反射结构。承载器具有一承载区以及一环绕承载区的周边区。周边区具有彼此相对的一第一对侧边与一第二对侧边。发光二极管芯片配置于承载器的承载区且电性连接至承载器。封装胶体配置于承载器上,且包覆发光二极管芯片与承载器的承载区。非密闭的反射结构配置于承载器的周边区,且位于第一对侧边上。非密闭的反射结构定义第二对侧边为一出光区。
申请公布号 CN102157661A 申请公布日期 2011.08.17
申请号 CN201010128190.7 申请日期 2010.02.11
申请人 亿光电子工业股份有限公司 发明人 张正宜
分类号 H01L33/48(2010.01)I;H01L33/60(2010.01)I 主分类号 H01L33/48(2010.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 任永武
主权项 一种发光二极管封装结构,其特征在于,包括:一承载器,具有一承载区以及一环绕该承载区的周边区,其中该周边区具有彼此相对的一第一对侧边与一第二对侧边;一发光二极管芯片,配置于该承载器的该承载区且电性连接至该承载器;一封装胶体,配置于该承载器上,且包覆该发光二极管芯片与该承载器的该承载区;以及一非密闭的反射结构,配置于该承载器的该周边区,且位于该第一对侧边上,其中该非密闭的反射结构定义该第二对侧边为一出光区。
地址 中国台湾台北县土城市中央路三段76巷25号