| 发明名称 | 制造氮化物半导体晶体的方法、氮化物半导体晶体以及制造氮化物半导体晶体的装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了制造氮化物半导体晶体的方法，其中实施下列步骤。首先，准备在内部配置源材料(17)的坩埚(101)。然后，在所述坩埚(101)内，通过加热和升华所述源材料(17)而淀积源材料气体，从而生长氮化物半导体晶体。在所述准备步骤中，准备由熔点比所述源材料(17)的熔点高的金属制成的坩埚(101)。 | ||
| 申请公布号 | CN102159755A | 申请公布日期 | 2011.08.17 |
| 申请号 | CN201080002639.3 | 申请日期 | 2010.01.13 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 佐藤一成;宫永伦正;山本喜之 |
| 分类号 | C30B29/38(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 陈海涛;樊卫民 |
| 主权项 | 一种制造氮化物半导体晶体(10)的方法，所述方法包括：准备用于在内部承载源材料的坩埚(101)的步骤；和在所述坩埚内通过加热所述源材料而使所述源材料(17)升华，并使源材料气体冷凝，由此生长氮化物半导体晶体的步骤；其中在所述准备步骤中，准备由熔点比所述源材料(17)的熔点高的金属制成的坩埚(101)。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||