| 发明名称 | 基于钛酸锶/P型硅异质结的电致发光器件及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于钛酸锶/P型硅异质结的电致发光器件及制备方法，该器件包括衬底，衬底正面沉积有发光层和电极层，衬底背面沉积有欧姆接触电极，所述的衬底为P型硅片，所述的发光层为SrTiO3膜。本发明的电致发光器件在一定的正向偏压(即正面透明导电膜接负电压，而硅片背面欧姆电极接正电压)下会发光，发光波长覆盖近紫外和可见光区。 | ||
| 申请公布号 | CN102157655A | 申请公布日期 | 2011.08.17 |
| 申请号 | CN201110047668.8 | 申请日期 | 2011.02.28 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 马向阳 |
| 分类号 | H01L33/26(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/26(2010.01)I |
| 代理机构 | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人 | 马士林 |
| 主权项 | 一种基于SrTiO3/p‑Si异质结的电致发光器件，包括衬底，衬底正面沉积有发光层和电极层，衬底背面沉积有欧姆接触电极，其特征在于，所述的衬底为P型硅片，所述的发光层为SrTiO3膜。 | ||
| 地址 | 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 | ||