LED保护二极管的结构及其制造方法

摘要

本发明的一种LED保护二极管芯片制造方法及其LED保护二极管芯片的结构和具有保护二极管芯片的保护装置，其步骤包括在P+衬底上进行N型外延、对N型外延表面进行氧化、光刻刻蚀、P+窗口进行P+硼扩散等步骤。LED保护二极管芯片的结构及其LED保护二极管的保护装置，该装置包含一个PNP三极管，一个NPN三极管，一个外延电阻，一个P/N+二极管及一个P/N外延二极管；该LED保护二极管芯片可单独进行封装后并联在LED器件的两侧，也可以直接封装并联在LED器件的内部。当LED灯串中的某一颗损坏开路时，装置内部的P/N+二极管出现击穿，PNP三极管及NPN三极管导通，电流从保护装置流过从而避免出现整串灯不亮的情况；并且当LED灯串电压反接时，内部的P/N外延二极管导通，从而保护LED不会由于反接而失效。本发明LED保护芯片制造工艺简单，易于生产，流程简便，芯片面积小，成品率高，单颗芯片成本低；保护装置具有安装简便、成本低、通用性强等特点，可以广范应用与多个LED灯泡串联组成的各种照明灯具中。

主权项

一种LED保护二极管芯片制造方法，其特征在于，所述的方法包括如下步骤：步骤1：P+衬底上进行N型外延；步骤2：对N型外延表面进行氧化；步骤3：对N型外延表面的SIO2层进行光刻刻蚀，在SIO2层形成P+硼扩散窗口；步骤4：对P+窗口进行P+硼扩散；步骤5：去除外延表面的SIO2；步骤6：对N型外延表面进行氧化；步骤7：对N型外延表面进行光刻，形成光刻胶P窗口；步骤8：对P窗口注入硼；步骤9：去胶、对P注入窗口退火，形成P区；步骤10：对N型外延表面进行光刻，形成光刻胶N+窗口；步骤11：对N+窗口注入砷；步骤12：去胶、对N型外延表面淀积SIO2、进行注入后退火，形成N+区；步骤13：对N型外延表面的SIO2层进行光刻刻蚀，在SIO2层形成孔窗口；步骤14：在表面溅射或蒸发铝；步骤15：对铝进行光刻、刻蚀，形成铝电极；步骤16：淀积钝化层、对钝化层进行光刻、刻蚀，形成压点窗口，对背面进行金属化。