发明名称 |
倒装芯片型半导体背面用膜 |
摘要 |
本发明提供一种倒装芯片型半导体背面用膜,其形成于倒装芯片连接至被粘物的半导体元件的背面上,所述膜包括晶片粘合层和激光标识层,其中所述晶片粘合层对于波长为532nm的光具有40%以上的透光率,以及所述激光标识层对于波长为532nm的光具有小于40%的透光率。 |
申请公布号 |
CN102153960A |
申请公布日期 |
2011.08.17 |
申请号 |
CN201010621793.0 |
申请日期 |
2010.12.24 |
申请人 |
日东电工株式会社 |
发明人 |
高本尚英;松村健;志贺豪士 |
分类号 |
C09J7/02(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L21/68(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I |
主分类号 |
C09J7/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 |
代理人 |
刘新宇;李茂家 |
主权项 |
一种倒装芯片型半导体背面用膜,其形成于倒装芯片连接至被粘物的半导体元件的背面上,其中所述膜包括晶片粘合层和激光标识层,和其中,所述晶片粘合层对于波长为532nm的光具有40%以上的透光率,以及所述激光标识层对于波长为532nm的光具有小于40%的透光率。 |
地址 |
日本大阪府 |