发明名称 | 一种提高ZnO薄膜材料的压电常数的方法 | ||
摘要 | 本发明公开了属于新材料技术领域的一种提高ZnO薄膜材料的压电常数的方法。制备掺入不同Fe含量的ZnO薄膜,Fe掺杂的ZnO薄膜组成成分及各成分原子百分比为:0≤Fe≤2.6at.%,47.4at.%≤Zn≤50at.%,其余为O;对Fe掺杂的ZnO薄膜在O2气氛下进行热处理。当Fe含量为1.2at.%时,Fe掺杂的ZnO薄膜可以不进行热处理也能有较大的压电常数。通过合适的Fe含量掺杂或者在O2气氛下退火,可以提高ZnO薄膜材料的压电常数,得到比未掺杂的ZnO薄膜大一个数量级的压电常数。 | ||
申请公布号 | CN101820047B | 申请公布日期 | 2011.08.17 |
申请号 | CN201010170458.3 | 申请日期 | 2010.05.06 |
申请人 | 清华大学 | 发明人 | 潘峰;罗景庭;曾飞 |
分类号 | H01L41/22(2006.01)I | 主分类号 | H01L41/22(2006.01)I |
代理机构 | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人 | 童晓琳 |
主权项 | 一种提高ZnO薄膜材料的压电常数的方法,其特征在于:制备掺入不同Fe含量的ZnO薄膜,Fe掺杂的ZnO薄膜组成成分及各成分原子百分比为:0<Fe≤2.6at.%,47.4at.%≤Zn≤50at.%,其余为O;当Fe掺杂的ZnO薄膜中Fe含量不为1.2at.%时,对Fe掺杂的ZnO薄膜在O2气氛下进行热处理,经上述步骤来提高ZnO薄膜材料的压电常数。 | ||
地址 | 100084 北京市100084-82信箱 |