发明名称 一种提高ZnO薄膜材料的压电常数的方法
摘要 本发明公开了属于新材料技术领域的一种提高ZnO薄膜材料的压电常数的方法。制备掺入不同Fe含量的ZnO薄膜,Fe掺杂的ZnO薄膜组成成分及各成分原子百分比为:0≤Fe≤2.6at.%,47.4at.%≤Zn≤50at.%,其余为O;对Fe掺杂的ZnO薄膜在O2气氛下进行热处理。当Fe含量为1.2at.%时,Fe掺杂的ZnO薄膜可以不进行热处理也能有较大的压电常数。通过合适的Fe含量掺杂或者在O2气氛下退火,可以提高ZnO薄膜材料的压电常数,得到比未掺杂的ZnO薄膜大一个数量级的压电常数。
申请公布号 CN101820047B 申请公布日期 2011.08.17
申请号 CN201010170458.3 申请日期 2010.05.06
申请人 清华大学 发明人 潘峰;罗景庭;曾飞
分类号 H01L41/22(2006.01)I 主分类号 H01L41/22(2006.01)I
代理机构 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人 童晓琳
主权项 一种提高ZnO薄膜材料的压电常数的方法,其特征在于:制备掺入不同Fe含量的ZnO薄膜,Fe掺杂的ZnO薄膜组成成分及各成分原子百分比为:0<Fe≤2.6at.%,47.4at.%≤Zn≤50at.%,其余为O;当Fe掺杂的ZnO薄膜中Fe含量不为1.2at.%时,对Fe掺杂的ZnO薄膜在O2气氛下进行热处理,经上述步骤来提高ZnO薄膜材料的压电常数。
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