发明名称 |
一种太阳能电池薄膜的生长方法 |
摘要 |
本发明涉及太阳能电池制造技术领域,尤其是一种薄膜的生长方法,主要步骤为对太阳能用晶体硅片进行表面制绒,送入氧化炉进行氧化工艺,对氧化膜进行退火处理,然后进行后续太阳能电池工艺。本发明氧化膜生长速度快,质量高,钝化性能优越;硅片在低温下进出炉管,氧化膜应力小,缺陷少;本发明的氧化工艺和退火工艺在同一个设备中进行,产量高。 |
申请公布号 |
CN102154708A |
申请公布日期 |
2011.08.17 |
申请号 |
CN201010620327.0 |
申请日期 |
2010.12.31 |
申请人 |
常州天合光能有限公司 |
发明人 |
刘亚锋 |
分类号 |
C30B33/00(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
C30B33/00(2006.01)I |
代理机构 |
常州市维益专利事务所 32211 |
代理人 |
王凌霄 |
主权项 |
一种太阳能电池薄膜的生长方法,其特征是:具有以下步骤,a)将经过常规表面处理的硅片在低温下送入氧化炉管;b)将炉管升温至800~1000℃,同时通入氮气,氮气流量为2~20升/分钟;c)待温度稳定后,关闭N2气,通入氧气,氧气流量2~20升/分钟,1~3分钟后,通入TCA(三羧酸循环)或DCE(CH2Cl2)气体,气体流量0.2~2升/分钟,同时通入水蒸气H2O,气体流量0.5~5升/分钟,通氧3~100分钟,生长不同厚度的氧化膜;d)关闭TCA或DCE气体,并关闭水蒸气,持续通氧气1~5分钟,氧气流量2~20升/分钟;e)关闭氧气,通入氮气,气体流量2~20升/分钟,氮气在高温下会带走氧化膜中的水分;f)降温至300~500℃,通入氢氮合成气体进行退火,气体流量1~10升/分钟,时间5~30分钟;g)关闭合成气体,通入N2吹扫,N2流量5~10升/分钟,时间2~10分钟;h)硅片出炉,进行电池的后续工艺。 |
地址 |
213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 |