| 发明名称 | 化学机械研磨的残留物去除方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种化学机械研磨的残留物去除方法，包括：将晶片表面与化学机械研磨机台的研磨垫接触；利用研磨液对晶片进行化学机械研磨；升起所述晶片；利用酸性溶液清洗所述晶片和研磨垫；利用去离子水清洗所述晶片和研磨垫，该方法可有效去除晶片表面的残留物，提高半导体器件的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN102157368A | 申请公布日期 | 2011.08.17 |
| 申请号 | CN201010110195.7 | 申请日期 | 2010.02.11 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 邓武锋 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/306(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种化学机械研磨的残留物去除方法，包括：将晶片表面与化学机械研磨机台的研磨垫接触；利用研磨液对晶片进行化学机械研磨；升起所述晶片；利用酸性溶液清洗所述晶片和研磨垫；利用去离子水清洗所述晶片和研磨垫。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||