金属塞及其制造方法

摘要

本发明公开了一种金属塞，形成于硅衬底的沟槽中，用以在硅衬底中需要电学连接的部分与硅衬底表面上的金属间实现电学连接。金属塞由金属硅化物与掺杂多晶硅或掺杂无定形硅的组合而成、或由金属硅化物与金属的组合而成、或有金属与掺杂多晶硅或掺杂无定形硅的组合而成、或由一种金属组成。金属塞在沟槽侧壁方向通过一介质层实现与硅衬底的相应部分的隔离，在底部方向实现与硅衬底上需电学连接部分的互联。本发明还提供了所述金属塞的制造方法。本发明能用作RFLDMOS器件的下沉层，减小器件的电阻和尺寸、并能提高器件的频率特性以及易于与现有工艺集成。

主权项

一种金属塞，其特征在于：所述金属塞形成于硅衬底的沟槽中，用以在所述硅衬底中需要电学连接的部分与所述硅衬底表面上的金属间实现电学连接。