电容器、硅基液晶显示器及制作方法

摘要

一种电容器的制作方法，包括下列步骤：提供半导体基底，所述半导体基底上依次形成有作为第一电极的光屏蔽层及与光屏蔽层隔绝的连接金属垫层和覆盖光屏蔽层及连接金属垫层的绝缘层；在绝缘层上形成导电保护层；刻蚀导电保护层及绝缘层，形成露出连接金属垫层的开口；在导电保护层上形成第二金属层，其中，第二金属层作为电容器的第二电极，通过开口与连接金属垫层相电连接。本发明还提供一种电容器、硅基液晶显示器及制作方法。本发明在绝缘层上形成导电保护层，在后续光刻与刻蚀工艺中保护绝缘层，不受等离子体损伤，进而达到减小电容器漏电、提高电容器可靠性。

主权项

一种硅基液晶显示器的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：在带有像素开关电路层的半导体基底上形成作为电容器第一电极的光屏蔽层及与光屏蔽层隔绝的连接镜面垫层和覆盖光屏蔽层及连接镜面垫层的氧化硅层，所述氧化硅层还填充有光屏蔽层及连接镜面垫层的间隙，所述氧化硅层表面对着所述间隙处产生有凹槽；在所述氧化硅层表面形成有机抗反射层，所述有机抗反射层填充所述凹槽；依次去除所述有机抗反射层和氧化硅层，所述间隙处形成有小凸起；平坦化所述小凸起，使填充于光屏蔽层及连接镜面垫层间隙的氧化硅层具有光滑表面；在光屏蔽层、连接镜面垫层和氧化硅层所组成的光滑表面上形成绝缘层，所述绝缘层的厚度范围为350埃至450埃；在绝缘层上形成导电保护层，防止后续刻蚀绝缘层的等离子体损伤绝缘层；刻蚀导电保护层和绝缘层，形成露出连接镜面垫层的开口；形成有所述开口后，接着在导电保护层上形成微反射镜层，所述微反射镜层同时填充所述开口；其中，微反射镜层作为电容器的第二电极，通过开口与连接镜面垫层相电连接；并且，所述微反射镜层与金属‑氧化物‑半导体场效应管的源端相电连接，所述光屏蔽层接地。