发明名称 |
一种氢氧共掺杂石墨烯的制备方法 |
摘要 |
一种氢氧共掺杂石墨烯的制备方法,涉及石墨烯薄膜制备工艺,尤其是一种氢氧共掺杂型石墨烯薄膜的制备工艺。本发明的制备方法,包括水热法合成中间体薄膜、中间体转移和对转移有中间体的衬底进行热处理工艺。本发明的工艺实现了厚度可调、电导可控、具有半导体性质的氢氧共掺杂石墨烯薄膜的制备。 |
申请公布号 |
CN102154694A |
申请公布日期 |
2011.08.17 |
申请号 |
CN201110066335.X |
申请日期 |
2011.03.18 |
申请人 |
昆明物理研究所 |
发明人 |
唐利斌;刘树平;姬荣斌;庄继胜;宋立媛;陈雪梅;马钰;王忆锋 |
分类号 |
C30B29/02(2006.01)I;C30B7/10(2006.01)I;C01B31/02(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/02(2006.01)I |
代理机构 |
昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 |
代理人 |
和琳 |
主权项 |
一种氢氧共掺杂石墨烯的制备方法,其特征在于其实现的步骤是:(1)水热法合成中间体薄膜,在反应器中加入含有氢、氧和碳元素物质的水溶液,水热条件下使反应物缩水聚合,含有氢、氧和碳元素物质的摩尔浓度为0.1~1.0 mol/L,水热反应温度为130~220℃,反应时间为1~24小时;(2)将中间体转移到衬底上;(3)对转移有中间体的衬底进行热处理,热处理在真空下进行,或是在氮气、氩气、氢气、空气、氨气或氧气中进行,其热处理温度为150~1300℃,时间为30秒~24小时。 |
地址 |
650031 云南省昆明市五华区教场东路31号 |