一种静电保护结构

摘要

本发明提供一种静电保护结构，由NMOS管、电阻和压焊点构成；NMOS管的栅端、P型衬底和源端连接并接地，漏端与压焊点连接；电阻一端接压焊点，另一端为静电保护结构的输出端与芯片内部电路连接；NMOS管还包括N型扩散区、多晶硅、源端衬底引出线和隔离环；多晶硅与N型扩散区交叠部分形成栅端；N型扩散区为P型衬底上的N阱，源端和漏端均由N阱构成，且源端和漏端成叉指状交错分部；源端和漏端所在N阱内均设有通孔，源端的通孔与源端衬底引出线连接，隔离环与源端连接；源端衬底引出线还与P型衬底连接；电阻由多晶硅构成，多晶硅直接与压焊点连接。本发明在不变工艺条件下可大幅提高抗ESD能力，缩小芯片面积，降低芯片成本，且不影响芯片性能。

主权项

一种静电保护结构，其特征在于：它由NMOS管、电阻和压焊点构成；NMOS管的栅端、P型衬底和源端连接并接地，漏端与压焊点连接；电阻一端接压焊点，另一端为静电保护结构的输出端与芯片的内部电路连接；所述的NMOS管还包括N型扩散区、多晶硅、源端衬底引出线和隔离环；多晶硅与N型扩散区交叠部分形成栅端；N型扩散区为P型衬底上的N阱，源端和漏端均由N阱构成，且源端和漏端成叉指状交错分布，形成多个小NMOS管并联结构；源端和漏端所在的N阱内均设有通孔，源端的通孔与源端衬底引出线连接，隔离环与源端连接；源端衬底引出线还与P型衬底连接；所述的电阻由多晶硅构成，与压焊点连接时由多晶硅直接与压焊点连接。