半导体装置的制造方法

摘要

本发明的半导体装置的制造方法，将形成有多个半导体芯片的半导体基板进行层叠，半导体芯片在主面一侧具有半导体集成电路，将构成不同层的半导体基板的半导体芯片之间进行连接以传递信号，然后对半导体芯片部分进行切片，其特征在于，包含：第一工序，准备第一半导体基板和第二半导体基板；第二工序，对第二半导体基板进行薄型化；第三工序，将进行了薄型化的第二半导体基板的主面的相反面通过绝缘层黏接在第一半导体基板的主面；第四工序，在进行了薄型化的第二半导体基板上形成过孔，过孔从第二半导体基板的主面贯通到主面的相反面；第五工序，通过过孔形成连接部，以在第一半导体基板的半导体芯片和第二半导体基板的半导体芯片之间传递信号。

主权项

一种半导体装置的制造方法，将形成有多个半导体芯片的半导体基板进行层叠，所述半导体芯片在主面一侧具有半导体集成电路，将构成不同层的所述半导体基板的所述半导体芯片之间进行连接以传递信号，然后对所述半导体芯片部分进行切片，所述半导体装置的制造方法的特征在于，包含：第一工序，准备第一半导体基板和第二半导体基板；第二工序，对所述第二半导体基板进行薄型化；第三工序，将进行了薄型化的所述第二半导体基板的主面的相反面通过绝缘层黏接在所述第一半导体基板的主面；第四工序，在进行了薄型化的所述第二半导体基板上形成过孔，所述过孔从所述第二半导体基板的主面贯通到主面的相反面；第五工序，通过所述过孔形成连接部，以在所述第一半导体基板的所述半导体芯片和所述第二半导体基板的所述半导体芯片之间传递信号。