一种有源驱动TFT矩阵结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种有源驱动TFT矩阵结构，包括：一基板；一栅线和栅电极，形成在基板之上；一栅电极绝缘层，形成在栅线及栅电极和基板之上，并在相邻的栅线之间形成有栅电极绝缘层过孔；一数据线，一部分形成在栅电极绝缘层之上，另一部分形成在相邻的栅线之间栅电极绝缘层过孔中，并和栅线交叉定义一像素单元；其中每一像素单元至少包括以薄膜晶体管器件和一像素电极。本发明同时公开了一种有源驱动TFT矩阵结构的制造方法。本发明通过在栅电极绝缘层上形成栅电极绝缘层过孔，来增大像素电极和数据线之间的间距，从而有效减少像素电极和数据线两者之间的寄生电容。

主权项

一种有源驱动TFT矩阵结构，其特征在于，包括：一基板；一栅线和栅电极，形成在所述基板之上；一栅电极绝缘层，形成在所述栅线及栅电极和基板之上，并在所述相邻的栅线之间形成有栅电极绝缘层过孔；一数据线，一部分形成在所述栅电极绝缘层之上，另一部分形成在所述相邻的栅线之间栅电极绝缘层过孔中，并和栅线交叉定义一像素单元；其中每一像素单元至少包括一薄膜晶体管器件和一像素电极。