| 发明名称 | 被处理体的蚀刻方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种处理体的蚀刻方法，包括：将包含SiN部分的被处理体收容到处理容器中的步骤；和向处理容器中提供蚀刻气体，同时将蚀刻气体等离子体化，通过该等离子体化的蚀刻气体来蚀刻被处理体的SiN部分的步骤，其特征在于：提供给处理容器中的蚀刻气体包含CH2F2和O2，蚀刻气体还包括Ar，蚀刻气体中Ar的流量/(CH2F2+O2)的流量的比例是比0大而在5以下，被处理体具有在SiN部分上设置的作为绝缘膜的有机Si类低介电常数膜，将该有机Si类低介电常数膜作为掩膜来蚀刻被处理体的SiN部分。 | ||
| 申请公布号 | CN101593677B | 申请公布日期 | 2011.08.17 |
| 申请号 | CN200910138621.5 | 申请日期 | 2002.06.10 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 布濑晓志;藤本究;山口智代 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/312(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳;刘春成 |
| 主权项 | 一种被处理体的蚀刻方法，包括：将包含SiN部分的被处理体收容到处理容器中的步骤；和向处理容器中提供蚀刻气体，同时将蚀刻气体等离子体化，通过该等离子体化的蚀刻气体来蚀刻被处理体的SiN部分的步骤，其特征在于：提供给处理容器中的蚀刻气体包含CH2F2和O2，蚀刻气体还包括Ar，蚀刻气体中Ar的流量/(CH2F2+O2)的流量的比例是比0大而在5以下，被处理体具有在SiN部分上设置的作为绝缘膜的有机Si类低介电常数膜，将该有机Si类低介电常数膜作为掩膜来蚀刻被处理体的SiN部分。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||