| 发明名称 | 化学机械研磨用水系分散体及半导体装置的化学机械研磨方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种化学初械研磨用水系分散体，其pH为4～5，用于同时对由选自多晶硅膜、氮化硅膜及氧化硅膜中的2种以上形成的被研磨面进行研磨，其含有：0.1～4质量％的(A)具有10nm～100nm的平均粒径的胶态二氧化硅、以及0.1～3质量％的(B)选自磷酸二氢铵、磷酸氢二铵及硫酸氢铵中的至少一种，所述(A)成分与所述(B)成分的质量比(A)/(B)为1～3。 | ||
| 申请公布号 | CN101542690B | 申请公布日期 | 2011.08.17 |
| 申请号 | CN200880000531.3 | 申请日期 | 2008.02.20 |
| 申请人 | JSR株式会社 | 发明人 | 安藤民智明;金野智久 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01)I;B24B37/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 左嘉勋;刘继富 |
| 主权项 | 一种化学机械研磨方法，其特征在于，使用化学机械研磨用水系分散体，同时对由选自多晶硅膜、氮化硅膜及氧化硅膜中的2种以上进行化学机械研磨时，使所述多晶硅膜、所述氮化硅膜及所述氧化硅膜的研磨速度均为20nm/分钟以上，使所述多晶硅膜与所述氧化硅膜的研磨速度比即多晶硅膜/氧化硅膜及所述氮化硅膜与所述氧化硅膜的研磨速度比即氮化硅膜/氧化硅膜均为0.9～1.1，其中，所述化学机械研磨用水系分散体，pH为4～5，含有：0.1～4质量％的A：具有10nm～100nm的平均粒径的胶态二氧化硅、以及0.1～3质量％的B：选自磷酸二氢铵、磷酸氢二铵及硫酸氢铵中的至少一种，并且，所述A成分与所述B成分的质量比A/B为1～3。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||