METODO Y APARATO PARA EL CRECIMIENTO DE SEMICONDUCTORES, EN PARTICULAR DE CINTAS DE SILICIO.

摘要

Un proceso para el crecimiento de cintas de un material semiconductor, a saber de silicio, mediante la extracción de una zona fundida (3) del citado material, caracterizado porque(a) la citada zona fundida se extiende a lo largo de la anchura de una placa de soporte (2) hecha del citado material;(b) la citada zona fundida es mantenida mediante una corriente eléctrica paralela a la superficie de la citada cinta y perpendicular a la dirección de crecimiento de la citada cinta; (c) la citada zona fundida es alimentada por transferencia de material en el estado líquido desde uno o más depósitos (6) del citado material, en los cuales es fundida la citada materia prima de los citados materiales, estando situados los mencionados depósitos en el electrodo (4) hecho del citado material.