发明名称 发光元件
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.08.11
申请号 TW100202464 申请日期 2011.02.01
申请人 晶元光电股份有限公司 发明人 叶慧君;陈昭兴;古依雯
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人
主权项 一种发光元件,包含:一发光叠层;一电流扩散层位于该发光叠层之上;及一金属电极结构位于该电流扩散层之上,其中该金属电极结构更包含:一第一附着层;一反射欧姆接触层位于该第一附着层之上;一阻障层位于该反射欧姆接触层之上;及一打线接合层位于该阻障层之上。如申请专利范围第1项所述之发光元件,其中更包含一电流阻挡层位于该发光叠层与该电流扩散层之间。如申请专利范围第1项所述之发光元件,其中该发光叠层包含:一第一导电型半导体层;一活性层位于该第一导电型半导体层之上;及一第二导电型半导体层位于该半导体活性层之上。如申请专利范围第1项所述之发光元件,其中该发光叠层之材料包含一种或一种以上之元素选自镓、铝、铟、砷、磷、氮以及矽所构成群组。如申请专利范围第1项所述之发光元件,其中该电流扩散层系包含一种或一种以上之材料选自于氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化铟锌、氧化锌铝以及氧化锌锡所构成之群组。如申请专利范围第1项所述之发光元件,其中更包含一第二附着层位于该反射欧姆接触层与该阻障层之间。如申请专利范围第2项所述之发光元件,其中该电流阻挡层系包含一种或一种以上之材料选自于二氧化矽、氧化钛、二氧化钛、五氧化三钛、三氧化二钛、二氧化铈、硫化锌、以及氧化铝所构成之群组。如申请专利范围第1项所述之发光元件,其中更包含一基板位于该发光叠层之下。如申请专利范围第8项所述之发光元件,其中该基板系包含一种材料选自于蓝宝石、氮化镓、氮化铝、碳化矽、砷化镓、磷化镓、矽、氧化锌、氧化镁、氧化铝镁及玻璃所构成之群组。如申请专利范围第1项所述之发光元件,其中该第一附着层厚度介于20@sIMGCHAR!d10021.TIF@eIMG!至100@sIMGCHAR!d10022.TIF@eIMG!之间,与该发光叠层间电性接触为欧姆接触;且该第一附着层系包含一种材料选自于铬、钛、镍、银、金、铂、钯、及铑所构成之群组。如申请专利范围第1项所述之发光元件,其中该反射欧姆接触层反射率大于80%,厚度大于1000@sIMGCHAR!d10023.TIF@eIMG!,与该发光叠层间电性接触为欧姆接触;且该反射欧姆接触层系包含一种材料选自于铝、银、金、铬、铂、镭所构成之群组。如申请专利范围第1项所述之发光元件,其中该阻障层系包含一种材料选自于铂、钛、镍及钨所构成之群组:且该打线接合层系为金或铝。如申请专利范围第6项所述之发光元件,其中该第二附着层系包含一种材料选自于铬、钛、镍、银、金、铂、钯、及铑所构成之群组。如申请专利范围第6项所述之发光元件,其中该第二附着层厚度大于该第一附着层厚度,且该第二附着层厚度介于100@sIMGCHAR!d10024.TIF@eIMG!至1000@sIMGCHAR!d10025.TIF@eIMG!之间。
地址 新竹市科学工业园区力行五路5号