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一种奈米碳管制备装置，其包括：一反应腔；一基底承载装置，其位于反应腔内，用于承载奈米碳管生长用基底；一升降装置，用于在奈米碳管生长过程中移动所述基底承载装置。如申请专利范围第1项所述之奈米碳管制备装置，其中，所述基底承载装置包括一悬臂。如申请专利范围第2项所述之奈米碳管制备装置，其中，所述升降装置为一滑轨，其位于反应腔内侧壁，该滑轨可使悬臂于反应腔内上下移动。如申请专利范围第1项所述之奈米碳管制备装置，其中，所述反应腔包括一进气口及一相对该进气口设置之排气口。如申请专利范围第1项所述之奈米碳管制备装置，其中，所述反应腔周围设置有一加热装置。一种奈米碳管制备方法，包括以下步骤：提供一如申请专利范围第1项所述之奈米碳管制备装置；将一表面形成有催化剂层之基底装载于基底承载装置上，且使该催化剂层面向反应腔底部一侧；向该反应腔内通入一碳源气，进行化学气相沈积生长奈米碳管，且于奈米碳管生长过程中，藉由升降装置向上移动基底承载装置，以使奈米碳管之生长尖端保持于一温度于500~900摄氏度范围之预定区域内。如申请专利范围第6项所述之奈米碳管制备方法，其中，所述基底之材质选自矽、石英及玻璃。如申请专利范围第6项所述之奈米碳管制备方法，其中，所述催化剂层之材质选自铁、钴、镍及其合金。如申请专利范围第6项所述之奈米碳管制备方法，其中，所述碳源气选自甲烷、乙炔、乙烯、一氧化碳及其混合。如申请专利范围第6项所述之奈米碳管制备方法，其中，所述碳源气系与一载气气体一起通入反应腔内。如申请专利范围第10项所述之奈米碳管制备方法，其中，所述载气气体选自氢气、氨气及惰性气体。 |
