| 主权项 |
一种闸极驱动电路，包含：一输入逻辑电路，其输入信号系具有一高态电压位准及一低态电压位准；一电压位准转换器，连结于该输入逻辑电路，对该输入逻辑电路所提供之讯号，进行电压操作位准的转换；及一驱动级，连结于该电压位准转换器，该驱动级包含串接的两个P型金属氧化半导体场效电晶体，以根据该电压位准转换器转换的结果，来控制该闸极驱动电路的一输出讯号的状态。如申请专利范围第1项所述之闸极驱动电路，其中该电压位准转换器的转换结果系使该电压位准转换器之一高态电压操作位准高于该输入逻辑电路之高态电压操作位准，并使该电压位准转换器之一低态电压位准等于该输入逻辑电路之低态电压位准。一种闸极驱动电路，包含：一输入逻辑电路，系具有一高态电压位准及一低态电压位准；一电压位准转换器，连结于该输入逻辑电路，对该输入逻辑电路所提供之讯号，进行电压操作位准的转换，使该电压位准转换器之一高态电压操作位准高于该输入逻辑电路之高态电压操作位准，并使该电压位准转换器之一低态电压位准等于该输入逻辑电路之低态电压位准；及一驱动级，连结于该电压位准转换器，以根据该电压位准转换器转换的结果，来控制该闸极驱动电路的一输出讯号的状态。如申请专利范围第3项所述之闸极驱动电路，其中该驱动级包含串接的两个P型金属氧化半导体场效电晶体。一种闸极驱动电路，包含：一输入逻辑电路；一高压端电路，连结于该输入逻辑电路，包含：一高压位准转换器，对该输入逻辑电路所提供之讯号，进行电压操作位准的转换；以及一高压端驱动级，连结于该高压位准转换器，用以透过该高压位准转换器转换的结果，来控制该高压端之一输出讯号的状态；及一低压端电路，连结于该输入逻辑电路，包含：一低压位准转换器，对该输入逻辑电路所提供之讯号，进行电压操作位准的转换；以及一低压端驱动级，连结于该低压位准转换器，用以透过该低压位准转换器转换的结果，来控制该低压端之一输出讯号的状态。如申请专利范围第5项所述之闸极驱动电路，其中该高压端驱动级包含串接的两个P型金属氧化半导体场效电晶体。如申请专利范围第6项所述之闸极驱动电路，其中高压端驱动级的其中一个P型金属氧化半导体场效电晶体系用以控制该高压端驱动级输出高态，而另一P型金属氧化半导体场效电晶体则用以控制该高压端驱动级输出低态。如申请专利范围第5项所述之闸极驱动电路，其中该低压端驱动级包含一P型金属氧化半导体场效电晶体及一N型金属氧化半导体场效电晶体。如申请专利范围第8项所述之闸极驱动电路，其中该P型金属氧化半导体场效电晶体用以控制该低压端驱动级输出高态，而该N型金属氧化半导体场效电晶体则用以控制该低压端驱动级输出低态。如申请专利范围第5项所述之闸极驱动电路，更进一步包含一低电压侦测器，其连结于该输入逻辑电路，用以监控该低压端供应电源的位准。如申请专利范围第10项所述之闸极驱动电路，其中当该低压端供应电源的位准低于一预设值时，该低电压侦测器强制该高压端驱动级及该低压端驱动级的输出呈现低态。一种闸极驱动方法，用以控制一闸极驱动电路的输出讯号的状态，该方法包含：输入一输入讯号，该输入讯号具有一高态电压位准及一低态电压位准；转换该输入讯号，以产生至少一高压端输出控制讯号及至少一低压端输出控制讯号，该高压端输出控制讯号以及该低压端输出控制讯号之一高态电压操作位准均高于该输入讯号之高态电压操作位准，且该高压端输出控制讯号以及该低压端输出控制讯号之一低态电压位准均等于该输入讯号之低态电压位准；根据该高压端输出控制讯号来控制该闸极驱动电路之一高压端的输出；以及根据该低压端输出控制讯号来控制该闸极驱动电路之一低压端的输出。如申请专利范围第12项所述之闸极驱动方法，更进一步包含随时侦测该低压端之供应电源的位准，以进一步产生一控制讯号来控制转换该输入讯号之动作。如申请专利范围第13项所述之闸极驱动方法，更进一步包含当该低压端供应电源的位准小于一预设值，则强制使该高压端及该低压端之输出为低态。如申请专利范围第12项所述之闸极驱动方法，其中根据该高压端输出控制讯号来切换该闸极驱动电路之该高压端输出路径，以决定该高压端的输出为高态或低态。如申请专利范围第12项所述之闸极驱动方法，其中根据该低压端输出控制讯号来切换该闸极驱动电路之该低压端输出路径，以决定该低压端的输出为高态或低态。 |
