| 主权项 |
一封装结构，包含：积层，其由弹性介电层所组成；以及导电层，其设置于该积层且耦合至一晶粒，其中该导电层系利用低功率溅镀程序而形成，俾使该导电层及该弹性介电层间获得较该导电层及焊锡球间为弱之黏着力，其中该低功率溅镀程序之功率密度为预蚀刻时0.1千瓦(kW)至0.5千瓦(kW)，溅镀种子金属层时1千瓦(kW)至4千瓦(kW)，其中该弹性介电层具有低介电系数、大于100百万分之一每摄氏度(ppm/℃)之热膨胀系数(CTE)及30%以上之伸长率之特性。如申请专利范围第1项之封装结构，其中该弹性介电层具有约30%至50%之伸长率之特性。如申请专利范围第1项之封装结构，其中该弹性介电层具有约30%至50%之形变比。如申请专利范围第1项之封装结构，其中该弹性介电层包含数个含矽型介电层。如申请专利范围第1项之封装结构，其中该弹性介电层于该导电层以下之厚度为3微米以上。如申请专利范围第1项之封装结构，其中该弹性介电层于该导电层以上之厚度约为10至15微米。如申请专利范围第1项之封装结构，其中该导电层包含重分布金属层。如申请专利范围第7项之封装结构，其中该重分布金属层之厚度为5微米以上。如申请专利范围第7项之封装结构，其中该重分布金属层之厚度约为10至15微米。如申请专利范围第7项之封装结构，其中该重分布金属层包含钛/铜/金合金或钛/铜/镍/金合金。如申请专利范围第1项之封装结构，其中该导电层包含内部连接金属层。如申请专利范围第1项之封装结构，其中该导电层之厚度为5微米以上。如申请专利范围第1项之封装结构，还包含一印刷电路板，其耦合至该焊锡球。如申请专利范围第1项之封装结构，还包含一黏胶层，其环绕该晶粒。如申请专利范围第14项之封装结构，还包含一固定基板，其中该黏胶层及该晶粒系形成于该固定基板上。 |
