| 主权项 |
一种非挥发性记忆体装置，包含：记忆格阵列，用以储存资料；页面缓冲器，经由至少第一与第二位元线而耦接至该记忆格阵列；其中该页面缓冲器包括：位元线选择电路，构成以选择性地耦接该第一或第二位元线至感测节点；第一暂存器，构成以储存输入资料；第二暂存器，构成以储存输入资料或来自该记忆单元阵列中被选择的记忆格之读取资料；资料比较电路，构成以比较储存于该第一暂存器中的资料与储存于该第二暂存器中的资料，并传送比较结果至该感测节点；第一位元线电压控制器，构成以依据储存于该第一暂存器中的资料之电压准位施加第一电压至该感测节点；以及第二位元线电压控制器，构成以依据储存于该第二暂存器中的该读取资料施加高于该第一电压之第二电压至被选择的位元线。如申请专利范围第1项之非挥发性记忆体装置，其中该第一位元线电压控制器包含：第一电晶体，构成以提供一接地电压至该感测节点，以响应储存于该第一暂存器中的资料；以及第二电晶体，设置于该第一电晶体与该感测节点之间，并构成以提供该接地电压至该感测节点，以响应第一位元线电压控制信号。如申请专利范围第1项之非挥发性记忆体装置，其中该第二位元线电压控制器包含：第一电晶体，构成以提供一电源供应电压至该感测节点，以响应储存于该第二暂存器中的资料；以及第二电晶体，设置于该第一电晶体与该感测节点之间，并构成以提供该电源供应电压至该感测节点，以响应第二位元线电压控制信号。如申请专利范围第2项之非挥发性记忆体装置，其中该第一位元线电压控制信号之电压准位高于该第二电晶体之门槛电压。如申请专利范围第3项之非挥发性记忆体装置，其中当执行LSB(最低效位元)编程操作时，接地电压系提供作为该电源供应电压，并且当执行MSB编程操作时，提供一高压作为该电源供应电压。如申请专利范围第5项之非挥发性记忆体装置，其中该第二位元线电压控制信号之电压准位系当LSB被编程时，高于该第二电晶体之门槛电压，并当编程MSB(最高效位元)时，高于该第二电晶体之门槛电压与该第二电压之总和。如申请专利范围第6项之非挥发性记忆体装置，其中该第二电压之大小约为1.5V到2.0V。如申请专利范围第1项之非挥发性记忆体装置，其中该资料比较电路传送一储存于该第一暂存器中之资料与储存于该第二暂存器中之资料的逻辑乘积资料至该感测节点，以响应MSB编程信号。如申请专利范围第8项之非挥发性记忆体装置，其中若储存于该第一暂存器中的资料与储存于该第二暂存器中的资料为分别为’0’与’0’时，则该资料比较电路停止逻辑乘积资料的传送。一种于非挥发性记忆体装置中编程多准位记忆格之方法，该方法包含：编程该记忆体装置中之记忆格之LSB(最低效位元)资料；传送待编程的资料至页面缓冲器之第一暂存器，作为该记忆格之MSB(最高效位元)；依据LSB编程，读取储存于该记忆格中之资料，并将该读取资料储存于该页面缓冲器之第二暂存器中；依据储存于该第一暂存器中之资料，重置储存于该第二暂存器中之资料，藉以指定LSB与MSB将被编程之第一选择之记忆格；比较该重置资料与储存于该第一暂存器中之资料，藉以指定只编程MSB之第二选择之记忆格；对与该第一选择之记忆格有关的位元线预充电至第一电压；对与该第二选择之记忆格有关的位元线预充电至高于该第一电压之第二电压；以及执行增加步阶脉冲编程ISPP之编程操作，其中一初始电压系比在LSB编程操作的电压高出一定准位。如申请专利范围第10项之方法，其中指定该第一选择之记忆格之步骤包含：于该第一暂存器中储存资料’0’；以及于该第二暂存器中储存资料’1’；其中该第一电压为一低压，并且该第二电压为一高压。如申请专利范围第10项之方法，其中指定该MSB将被编之该第二选择之记忆格之步骤包含：于该第一暂存器中储存资料’1’；以及于该第二暂存器中储存资料’0，；其中该第一电压为一低压，并且该第二电压为一高压。如申请专利范围第10项之方法，其中对该位元线预充电至该第一电压之步骤包含：依据储存于该第一暂存器中之资料之电压准位，施加一接地电压至该位元线。如申请专利范围第10项之方法，其中对该位元线预充电至该第二电压之步骤包含：依据储存于该第二暂存器中之资料之电压准位，施加一高压至该位元线。如申请专利范围第14项之方法，其中该第二电压不超过2.0V。如申请专利范围第10项之方法，其中当该LSB藉由该ISPP编程时，该初始电压约为13V，并且相关联于该ISPP之步阶电压约为0.2V。如申请专利范围第10项之方法，其中当该MSB藉由该ISPP编程时，该初始电压约为16.5V，并且相关联于该ISPP之步阶电压约为0.2V。一种于非挥发性记忆体装置中编程多重准位记忆格之方法，其包含：指定具有编程LSB与MSB之第一记忆格之第一记忆格群组，以及具有没编程LSB与编程MSB之第二记忆格之第二记忆格群组；对耦接至该第一记忆格群组之位元线预充电至第一电压；对耦接至该第二记忆格群组之位元线预充电至高于该第一电压之第二电压；以及执行增加步阶脉冲编程ISPP编程操作，其中该ISPP编程操作的初始电压系高于在LSB编程操作的特定电压。如申请专利范围第18项之方法，其中资料’0’系储存于页面缓冲器中与该第一记忆格群组有关之第一暂存器中，并且资料’1’系储存于该页面缓冲器之第二暂存器中，其中该ISPP编程操作之初始电压系比该LSB编程操作之电压高出至少3V。如申请专利范围第18项之方法，其中资料’1’系储存于页面缓冲器中与该第二记忆格群组之第一暂存器中，并且资料’0’系储存于该页面缓冲器之第二暂存器中，其中该ISPP编程操作之初始电压系比该LSB编程操作之电压高出3V到4V。如申请专利范围第18项之方法，其中对该位元线预充电至该第一电压之步骤包含：依据储存于该页面缓冲器之该第一暂存器中之资料，施加接地电压至该位元线。如申请专利范围第18项之方法，其中对该位元线预充电至该第二电压之步骤包含：依据储存于该页面缓冲器之该第二暂存器中之资料之电压准位，施加高压至该位元线。如申请专利范围第18项之方法，其中该第一电压为维持该位元线之电压为低准位之电压，以提供一编程脉冲至该位元线。如申请专利范围第18项之方法，其中该第二电压为提升该位元线之电压至超过特定电压之电压，以防止过编程。 |
