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一种氮化镓系化合物半导体发光元件，其系于基板以及基板上所层积之氮化镓系化合物半导体层所构成之发光元件，其特征为：该氮化镓系化合物半导体层的矩形长边侧的侧面为具有氮化镓单结晶格子之A面的面方位，该氮化镓系化合物半导体层的侧面相对于基板主面为该氮化镓系化合物半导体层之与基板主面平行的剖面面积在朝向基板主面以变小之方式予以倾斜，而该氮化镓系化合物半导体层的倾斜侧面与基板主面之角度θ为小于90。如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体发光元件，其中基板为蓝宝石C面。如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体发光元件，其中发光元件的长边的长度为50μm~2000μm。如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体发光元件，其中发光元件的短边和长边的比为1：10到4：5。如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体发光元件，其中正极焊垫为位于矩形长边的中央部。一种氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法，该发光元件系由基板以及基板上所层积的氮化镓系化合物半导体层所构成，平面形状为长宽之边长相异的矩形，其特征为：包含以下步骤；在氮化镓系化合物半导体层的表面侧以具有既定的图案的光罩来覆盖之步骤；与将欲分割成元件部位的氮化镓系化合物半导体层除去，直到基板为止之步骤；与在除去后以湿式蚀刻处理之步骤；与分割为各元件之步骤。如申请专利范围第6项之氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法，其中光罩为光阻。如申请专利范围第6项之氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法，其中除去氮化镓系化合物半导体层之步骤为藉由雷射进行。如申请专利范围第6项之氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法，其中除去氮化镓系化合物半导体层之步骤为利用切割机所为。如申请专利范围第6项之氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法，其中湿式蚀刻处理为使用正磷酸进行。一种灯泡，其特征为由申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体发光元件所构成。一种电子机器，其特征为组装进申请专利范围第11项之灯泡。一种机械装置，其特征为组装进申请专利范围第12项之电子机器。 |
