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一种晶圆级晶片尺寸封装构造之制造方法，包含：提供一晶圆，包含有复数个晶片，每一晶片系具有一主动面以及一背面；设置一基板面板于该晶圆之该主动面上，该基板面板系包含复数个基板；形成一模封背胶层于该晶圆之该背面；同时切割该晶圆与该基板，以使每一晶片具有复数个在该主动面与该背面之间之第一切割侧面，并使每一基板系具有复数个第二切割侧面，其中该些第二切割侧面系对齐于该些第一切割侧面，以使每一晶片与对应之基板具有相同覆盖面积；以及形成一侧封胶体以覆盖于该些第一切割侧面与该些第二切割侧面。如申请专利范围第1项所述之晶圆级晶片尺寸封装构造之制造方法，其中在切割该晶圆时同时切割该模封背胶层，使该模封背胶层系具有复数个第三切割侧面，而该侧封胶体系更覆盖于该些第三切割侧面。如申请专利范围第1项所述之晶圆级晶片尺寸封装构造之制造方法，其中该侧封胶体系具有一覆盖高度，至少超过对应晶片与基板之厚度。如申请专利范围第1项所述之晶圆级晶片尺寸封装构造之制造方法，另包含之步骤有，形成一中介封胶体，其系介设于该晶片与该基板之间。如申请专利范围第4项所述之晶圆级晶片尺寸封装构造之制造方法，其中该中介封胶体系具有复数个第四切割侧面，而该侧封胶体系更覆盖于该些第四切割侧面。如申请专利范围第4项所述之晶圆级晶片尺寸封装构造之制造方法，其中该中介封胶体系选自于底部填充胶、异方性导电胶与非导电胶之其中之一。如申请专利范围第1项所述之晶圆级晶片尺寸封装构造，其中该晶片系完全密封。如申请专利范围第4项所述之晶圆级晶片尺寸封装构造之制造方法，另包含之步骤有，设置复数个导电凸块设于该晶片与该基板之间。如申请专利范围第8项所述之晶圆级晶片尺寸封装构造之制造方法，其中该中介封胶体系密封该晶圆之该主动面以及该些导电凸块。如申请专利范围第1项所述之晶圆级晶片尺寸封装构造之制造方法，另包含之步骤有，设置复数个外部端子于该基板之一外露表面。如申请专利范围第10项所述之晶圆级晶片尺寸封装构造之制造方法，其中该侧封胶体系局部覆盖至该基板之外露表面之周边。 |
