| 主权项 |
一种氮化物半导体雷射装置，包括：氮化物半导体基板，其具有第一主要表面及第二主要表面；氮化物半导体层，其堆叠在该氮化物半导体基板之第一主要表面上；脊状长条，其形成在该氮化物半导体层中；及共振表面，其以垂直该脊状长条之长度方向之方向形成一光学波导；其中该氮化物半导体基板之第一主要表面包括：第一区，其具有一(0001)平面之长晶面，及第二区，其具有一至少与该第一区之长晶面不同之长晶面，且在该第一主要表面及/或第二主要表面之第二区中具有沟槽；该第一区与该第二区交互形成长条，该第一区与该第二区之长条宽度比(第一区/第二区)为5以上。如请求项1之氮化物半导体雷射装置，其中该氮化物半导体基板于该第一主要表面上具有脊状长条。如请求项1或2之氮化物半导体雷射装置，其中该氮化物半导体基板之第一主要表面之第一区为(0001)平面，且第二区为(000-1)平面。如请求项1之氮化物半导体雷射装置，其中该氮化物半导体基板之长晶面系矩形，及形成在该氮化物半导体基板之第二主要表面上之该沟槽形成在形成该矩形之四角中至少一位置。如请求项1之氮化物半导体雷射装置，其中该第一区之位错少于该第二区者。一种氮化物半导体雷射装置，包括：氮化物半导体基板，其具有第一主要表面及第二主要表面；氮化物半导体层，其堆叠在该氮化物半导体基板之第一主要表面上；脊状长条，其形成在该氮化物半导体层中；及共振表面，其垂直该脊状长条之长度方向；其中该氮化物半导体基板之第二主要表面包括：第一区，其具有一(000-1)平面之长晶面，及第二区，其具有一至少与该第一区之长晶面不同之长晶面，及在该第二主要表面具有电极，且于该第一主要表面及/或第二主要表面具有沟槽。如请求项6之氮化物半导体雷射装置，其中该第二主要表面之第二区具有一区域，其具有一(0001)平面之长晶面。如请求项1或6之氮化物半导体雷射装置，其中该氮化物半导体基板之该第一主要表面及该第二主要表面彼此面对，及该第二主要表面之第一区位于该第一主要表面之第一区下方。如请求项1或6之氮化物半导体雷射装置，其中该氮化物半导体基板之第二主要表面具有(000-1)平面、(11-20)平面、(10-15)平面、(10-14)平面、(11-24)平面中至少一平面。一种制造氮化物半导体雷射装置之方法，其特征在于该氮化物半导体雷射装置具有：氮化物半导体基板，其具有位于该氮化物半导体基板之对向侧之第一主要表面及第二主要表面；在该氮化物半导体基板之第一主要表面上堆叠之氮化物半导体层；在该氮化物半导体层中形成具有长度方向之脊状长条；及共振表面，其以垂直该脊状长条之长度方向之方向上形成一光学波导；其中该第一主要表面及该第二主要表面皆包含1)第一区及2)第二区，该第一区系在第一长晶平面具有第一长晶面，该第二区具有一至少与该第一区之长晶面不同之第二长晶面，且该氮化物半导体基板之该第一主要表面及该第二主要表面之至少一者包含位于该第二区中之沟槽，将该氮化物半导体基板分割为多个棒状物之制程包括：在该第一主要表面及/或该第二主要表面形成一沟槽之步骤，及断开之步骤。如请求项10之制造氮化物半导体雷射装置之方法，其中藉由使用选自点切割、雷射切割、及RIE之方法形成该沟槽。 |
