| 主权项 |
一种多晶矽薄膜太阳电池元件之钛基金属化合物薄膜制备方法，其至少包括下列步骤：(A)选择一三氧化二铝陶瓷基板；(B)利用一电子枪式薄膜被覆系统(E-Gun Evaporation System)，于该三氧化二铝陶瓷基板上被覆一层钛金属薄膜；(C)利用一常压式化学气相沉积设备方法(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition,APCVD)，将一二氯矽甲烷(Dichlorosilane,SiH2Cl2)扩散沉积在该钛金属薄膜上，其扩散温度系为800℃至1100℃、扩散时间系为1分钟至15分钟；以及(D)形成一被覆在该三氧化二铝陶瓷基板上之钛基金属化合物薄膜。依申请专利范围第1项所述之多晶矽薄膜太阳电池元件之钛基金属化合物薄膜制备方法，其中，该钛基金属化合物薄膜系可为钛矽金属化合物薄膜、氮化钛(TiN)金属化合物薄膜、碳化钛(TiC)金属化合物薄膜、二硼化钛(TiB2)金属化合物薄膜、及碳氮化钛(TiCxNy)金属化合物薄膜。依申请专利范围第2项所述之多晶矽薄膜太阳电池元件之钛基金属化合物薄膜制备方法，其中，该钛矽金属化合物薄膜之片电阻(Sheet Resistance)系小于0.5欧姆/平方公分(O/cm2)。依申请专利范围第1项所述之多晶矽薄膜太阳电池元件之钛基金属化合物薄膜制备方法，其中，该三氧化二铝陶瓷基板之厚度系为0.1毫米(mm)至1.0毫米。依申请专利范围第1项所述之多晶矽薄膜太阳电池元件之钛基金属化合物薄膜制备方法，其中，该钛金属薄膜之厚度系为500埃()至5000埃。依申请专利范围第1项所述之多晶矽薄膜太阳电池元件之钛基金属化合物薄膜制备方法，其中，该钛基金属化合物薄膜系具有多晶矽薄膜种子层功能。一种多晶矽薄膜太阳电池元件之钛基金属化合物薄膜制备方法，其至少包括下列步骤：(A)选择一三氧化二铝陶瓷基板；(B)利用一电子枪式薄膜被覆系统，于该三氧化二铝陶瓷基板上被覆一层钛金属薄膜；(C)利用一电浆增强式化学气相沉积设备方法(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)，于该钛金属薄膜上被覆一非晶矽(Amorphous-Silicon)薄膜，并且使用一加热装置对该非晶矽薄膜进行加热，其退火温度系为700℃至800℃、扩散时间系为15分钟至60分钟；以及(D)形成一被覆在该三氧化二铝陶瓷基板上之钛基金属化合物薄膜。依申请专利范围第7项所述之多晶矽薄膜太阳电池元件之钛基金属化合物薄膜制备方法，其中，该钛基金属化合物薄膜系可为钛矽金属化合物薄膜、氮化钛金属化合物薄膜、碳化钛金属化合物薄膜、二硼化钛金属化合物薄膜、及碳氮化钛金属化合物薄膜。依申请专利范围第8项所述之多晶矽薄膜太阳电池元件之钛基金属化合物薄膜制备方法，其中，该钛矽金属化合物薄膜之片电阻系小于0.5欧姆/平方公分。依申请专利范围第7项所述之多晶矽薄膜太阳电池元件之钛基金属化合物薄膜制备方法，其中，该三氧化二铝陶瓷基板亦可先披覆该非晶矽薄膜，再由该电子枪式薄膜被覆系统，于该非晶矽薄膜上被覆该钛金属薄膜。依申请专利范围第7项所述之多晶矽薄膜太阳电池元件之钛基金属化合物薄膜制备方法，其中，该三氧化二铝陶瓷基板之厚度系为0.1毫米至1.0毫米。依申请专利范围第7项所述之多晶矽薄膜太阳电池元件之钛基金属化合物薄膜制备方法，其中，该钛金属薄膜之厚度系为500埃至5000埃。依申请专利范围第7项所述之多晶矽薄膜太阳电池元件之钛基金属化合物薄膜制备方法，其中，该非晶矽薄膜与该钛金属薄膜之厚度比为2：1。依申请专利范围第7项所述之多晶矽薄膜太阳电池元件之钛基金属化合物薄膜制备方法，其中，该加热装置系为高温炉退火装置。依申请专利范围第7项所述之多晶矽薄膜太阳电池元件之钛基金属化合物薄膜制备方法，其中，该钛基金属化合物薄膜系具有多晶矽薄膜种子层功能。一种多晶矽薄膜太阳电池元件之钛基金属化合物薄膜制备方法，其至少包括下列步骤：(A)选择一三氧化二铝陶瓷基板；以及(B)利用一常压式化学气相沉积设备方法，将一二氯矽甲烷与一四氯化碳(Titanium tetrachloride,TiCl4)等原物料，直接合成一被覆在该三氧化二铝陶瓷基板上之钛基金属化合物薄膜。依申请专利范围第16项所述之多晶矽薄膜太阳电池元件之钛基金属化合物薄膜制备方法，其中，该钛基金属化合物薄膜系可为钛矽金属化合物薄膜、氮化钛金属化合物薄膜、碳化钛金属化合物薄膜、二硼化钛金属化合物薄膜、及碳氮化钛金属化合物薄膜。依申请专利范围第17项所述之多晶矽薄膜太阳电池元件之钛基金属化合物薄膜制备方法，其中，该钛矽金属化合物薄膜之片电阻小于0.5欧姆/平方公分。依申请专利范围第16项所述之多晶矽薄膜太阳电池元件之钛基金属化合物薄膜制备方法，其中，该三氧化二铝陶瓷基板之厚度系为0.1毫米至1.0毫米。依申请专利范围第16项所述之多晶矽薄膜太阳电池元件之钛基金属化合物薄膜制备方法，其中，该钛基金属化合物薄膜系具有多晶矽薄膜种子层功能。 |
