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一种制造铌和钽的成型物件的方法，它是藉在含有氢氟酸的水溶液中用电化学方法蚀刻由结构化的光阻剂掩蔽膜覆盖的铌或钽的片材，其特征为蚀刻是在如下的电化学条件下实施的，其将占绝对蚀刻电流5-10%的平均变异的噪音电流叠加到产生的蚀刻电流上，并且蚀刻溶液含有一种水溶性的聚合物。根据申请专利范围第1项的方法，其特征为该聚合物是平均莫耳质量Mw至少为100克/莫耳的聚乙二醇。根据申请专利范围第1项的方法，其特征为蚀刻溶液含有浓度为200至800克/升之聚合物。根据申请专利范围第1项的方法，其特征为蚀刻溶液含有浓度为100至500克/升之氢氟酸。根据申请专利范围第1项的方法，其特征为蚀刻溶液含有10至100克/升的氢氟化铵。根据申请专利范围第1项的方法，其特征为在蚀刻过程中蚀刻溶液的温度为5至70℃。根据申请专利范围第1项的方法，其特征为蚀刻溶液系藉机械方法搅拌或者吹入空气或一种对被蚀刻的铌或钽片材以及对于蚀刻溶液是惰性的气体。根据申请专利范围第1项的方法，其特征为欲被蚀刻的铌或钽片材的电化学电位是藉相对于存在于蚀刻容器中的参比电极的恒电位仪来调节的，所述参比电极是紧靠铌或钽片材表面的。 |
