| 主权项 |
一种功率金属氧化矽场效电晶体装置，包含有：一半导体基板；复数个闸极，系提供于该半导体基板上；复数个本体区域，在该半导体基板上形成一阵列，并邻近该复数个闸极；以及复数个源极间连接图案，系包围并延伸于相邻本体区域之间，以提供电流至该复数个闸极，其中该源极间连接图案具有延伸至该复数个闸极之接触区域之预定几何图案。如申请专利范围第1项所述之装置，其中每个该源极间连接图案系包含非直线图案。如申请专利范围第2项所述之装置，其中在相邻本体区域之间延伸之各个非直线图案部分包含：一第一延伸部，系延伸自一第一本体区域；一第二延伸部，系从该第一延伸部沿着朝向其中一个该复数个闸极之接触区域方向，大体垂直延伸；一第三延伸部，系从该第二延伸部沿着朝向一第二本体区域之方向，大体垂直延伸；一第四延伸部，系从该第三延伸部沿着朝向其中一个该复数个闸极之接触区域方向，大体垂直延伸；以及一第五延伸部，系从该第四延伸部大体垂直延伸，并接触该第二本体区域。如申请专利范围第3项所述之装置，其中每个该源极间连接图案包含复数个弯曲部。如申请专利范围第4项所述之装置，其中每个该复数个弯曲部之转弯处被切成斜面。如申请专利范围第5项所述之装置，其中每个斜面系倾斜大约45度角。如申请专利范围第3项所述之装置，其中围绕该本体区域之部份该源极间连接图案为三角形状。如申请专利范围第3项所述之装置，其中围绕该本体区域之部份该源极间连接图案为矩形状。如申请专利范围第3项所述之装置，其中在相邻本体区域之间延伸之部份该源极间连接图案为正弦曲线状。如申请专利范围第1项所述之装置，其中在相邻本体区域之间延伸之部份该源极间连接图案包含一第一延伸部与一第二延伸部，该第一延伸部系直线延伸于相邻本体区域之间，以及该第二延伸部系沿着朝向该复数个闸极之方向，从该第一延伸部垂直延伸。如申请专利范围第10项所述之装置，其中该第二延伸部之各个顶端为矩形状。如申请专利范围第10项所述之装置，其中该第二延伸部之各个顶端为三角形状。如申请专利范围第10项所述之装置，其中该第二延伸部之各个顶端被切除，进而不形成直角。如申请专利范围第1项所述之装置，其中在相邻本体区域之间延伸之部份该源极间连接图案包含一第一直线延伸部与至少两个平行延伸部，该第一直线延伸部系直线延伸于相邻本体区域之间，以及该至少两个平行延伸部系从该第一直线延伸部沿朝向该复数个闸极之方向垂直延伸。如申请专利范围第14项所述之装置，其中该至少两个平行延伸部之各个顶端为矩形状。如申请专利范围第14项所述之装置，其中该至少两个平行延伸部之各个顶端为三角形状。如申请专利范围第14项所述之装置，其中该至少两个平行延伸部之各个顶端被切除，进而不形成直角。如申请专利范围第1项所述之装置，其中该复数个源极间连接图案系由n＋型掺杂物形成。一种功率金属氧化矽场效电晶体装置，包含有：一半导体基板；复数个闸极，系提供于该半导体基板上；复数个本体区域，在该半导体基板上形成一阵列，并邻近该复数个闸极；以及复数个源极间连接图案，系包围并延伸于相邻本体区域之间，以提供电流至该复数个闸极，其中在相邻本体区域之间延伸之部份该源极间连接图案包含一第一直线延伸部与至少两个平行延伸部，该第一直线延伸部系直线延伸于相邻本体区域之间，以及该至少两个平行延伸部系从该第一直线延伸部沿朝向该复数个闸极之方向垂直延伸。一种功率金属氧化矽场效电晶体装置，包含有：一半导体基板；复数个闸极，系提供于该半导体基板上；复数个本体区域，在该半导体基板上形成一阵列，并邻近该复数个闸极；以及复数个源极间连接图案，系包围并延伸于相邻本体区域之间，以提供电流至该复数个闸极，其中在相邻本体区域之间延伸之部份该源极间连接图案为正弦曲线状。 |
