| 主权项 |
一种用于一抗蚀层底层膜之硬质罩幕组成物，包含：一聚合物，其系经由式1化合物@sIMGTIF!d10001.TIF@eIMG!与式2化合物(R)m-Si-(OCH3)4-m(2)于催化剂存在下反应而制备，其中R为一价有机基(monovalent organic group)，n为3至20之整数，及m为1或2；以及一有机溶剂。如申请专利范围第1项之硬质罩幕组成物，其中R为烷基或芳基。如申请专利范围第2项之硬质罩幕组成物，其中R为苯基。如申请专利范围第1项之硬质罩幕组成物，其中该催化剂包含酸催化剂或硷催化剂。如申请专利范围第4项之硬质罩幕组成物，其中该酸催化剂系选自于由对甲苯磺酸、有机酸类、对甲苯磺酸一水合物、对甲苯磺酸吡啶鎓、2,4,4,6-四溴环己二烯酮、安息香甲苯磺酸酯、甲苯磺酸2-硝基苄酯及有机磺酸之烷基酯类所组成之组群中之一者或多者。如申请专利范围第4项之硬质罩幕组成物，其中该硷催化剂包括式NH4OH或N(R’)4OH中之一种或多种氢氧化铵，其中R’为一价有机基。如申请专利范围第4项之硬质罩幕组成物，其中该催化剂为酸催化剂，以及其中该硬质罩幕组成物进一步包含胺硷。如申请专利范围第7项之硬质罩幕组成物，其中该胺硷包含三烷基胺及包含吡啶环之芳香族胺中之一者或多者。如申请专利范围第7项之硬质罩幕组成物，其中该胺硷系以组成物总重为基准，于约0.01至约10份重量比范围之数量存在。如申请专利范围第4项之硬质罩幕组成物，其中以硬质罩幕组成物总重为基准，该聚合物系经由约10至约90份重量比式1化合物与约90至约10份重量比式2化合物于约5至约70份重量比溶剂，于约0.01至约5份重量比酸催化剂或硷催化剂存在下反应而制备。如申请专利范围第1项之硬质罩幕组成物，其中以组成物之总重为基准，该聚合物之存在量系于约1份重量比至约50份重量比之范围。如申请专利范围第1项之硬质罩幕组成物，进一步包含交联剂及界面活性剂中之一者或多者。如申请专利范围第1项之硬质罩幕组成物，进一步包含选自于由对甲苯磺酸吡啶鎓、2,4,4,6-四溴环己二烯酮、安息香甲苯磺酸酯、甲苯磺酸2-硝基苄酯及有机磺酸之烷基酯类所组成之组群之化合物中之一者或多者。如申请专利范围第1项之硬质罩幕组成物，其中该聚合物包含选自于由式6-10所表示之结构式中之至少一个结构式：@sIMGTIF!d10002.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10003.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10004.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10005.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10006.TIF@eIMG!其中R为一价有机基且w、x、y及z为正整数。一种用于抗蚀层底层膜之硬质罩幕组成物，包含：一聚合物，该聚合物包含，以含矽之单体单位之总莫耳数为基准，约10 mol%至约99 mol%之下式3单体单位：@sIMGTIF!d10007.TIF@eIMG!及，以含矽之单体单位之总莫耳数为基准，约1 mol%至约90 mol%选自于下式4及5之单体单位之至少一种单体单位：@sIMGTIF!d10008.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10009.TIF@eIMG!其中R、R1、及R2各自独立为一价有机基；以及一有机溶剂。如申请专利范围第15项之硬质罩幕组成物，其中R、R1、及R2各自独立为烷基或芳基。如申请专利范围第16项之硬质罩幕组成物，其中R、R1、及R2各自为苯基。如申请专利范围第15项之硬质罩幕组成物，进一步包含胺硷。如申请专利范围第18项之硬质罩幕组成物，其中该胺硷包含三烷基胺及包含吡啶环之芳香族胺中之一者或多者。如申请专利范围第18项之硬质罩幕组成物，其中该胺硷系以组成物总重为基准，于约0.01至约10份重量比范围之数量存在。如申请专利范围第15项之硬质罩幕组成物，进一步包含交联剂及界面活性剂中之一者或多者。如申请专利范围第15项之硬质罩幕组成物，其中以组成物之总重为基准，该聚合物之存在量系于约1份重量比至约50份重量比之范围。如申请专利范围第15项之硬质罩幕组成物，进一步包含选自于由对甲苯磺酸吡啶鎓、2,4,4,6-四溴环己二烯酮、安息香甲苯磺酸酯、甲苯磺酸2-硝基苄酯及有机磺酸之烷基酯类所组成之组群之化合物中之一者或多者。一种制造一半导体积体电路元件之方法，包含下列步骤：(a)于一基材上提供一材料层；(b)于该材料层上形成一硬质罩幕层，其中该硬质罩幕层系由有机材料所组成；(c)使用如申请专利范围第1项之硬质罩幕组成物来于该材料层上形成用于一抗蚀层底层膜之一抗反射硬质罩幕层；(d)于该抗反射硬质罩幕层上形成一辐射敏感成像层；(e)根据图案曝光该成像层于辐射，来于该成像层中形成辐射曝光区之图案；(f)选择性去除辐射敏感成像层之部分及抗反射硬质罩幕层之部分，来暴露出含有机材料之硬质罩幕材料层之部分；(g)选择性去除图案化的抗反射硬质罩幕层之部分及含有机材料之硬质罩幕材料层之部分，来暴露出材料层之部分；以及(h)蚀刻该材料层之暴露部分来形成一图案化的材料层。一种制造一半导体积体电路元件之方法，包含下列步骤：(a)于一基材上提供一材料层；(b)于该材料层上形成一硬质罩幕层，其中该硬质罩幕层系由有机材料所组成；(c)使用如申请专利范围第15项之硬质罩幕组成物来于该材料层上形成用于一抗蚀层底层膜之一抗反射硬质罩幕层；(d)于该抗反射硬质罩幕层上形成一辐射敏感成像层；(e)根据图案曝光该成像层于辐射，来于该成像层中形成辐射曝光区之图案；(f)选择性去除辐射敏感成像层之部分及抗反射硬质罩幕层之部分，来暴露出含有机材料之硬质罩幕材料层之部分；(g)选择性去除图案化的抗反射硬质罩幕层之部分及含有机材料之硬质罩幕材料层之部分，来暴露出材料层之部分；以及(h)蚀刻该材料层之暴露部分来形成一图案化的材料层。 |
