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一种溅镀靶之制造方法，其特征在于：将原料之Al2O3粉及ZnO粉事先混合并以800~1200℃先加以煅烧，于此煅烧后之Al2O3-ZnO粉，混合MgO及/或SiO2粉并加以再煅烧后，进行烧结，以总合量计，系由Al2O3：0.2~3.0at%、MgO及/或SiO2：1~27at%、剩余部分为ZnO所构成。一种溅镀靶之制造方法，其特征在于：将原料之Al2O3粉及ZnO粉事先混合并以800~1200℃先加以煅烧，且将原料之MgO粉与SiO2粉同样加以混合、煅烧，接着将该MgO-SiO2煅烧粉混合于该煅烧后之Al2O3-ZnO粉并加以再煅烧后，进行烧结，以总合量计，系由Al2O3：0.2~3.0at%、MgO及/或SiO2：1~27at%、剩余部分为ZnO所构成。如申请专利范围第1或2项之溅镀靶之制造方法，其中，该溅镀靶之MgO及/或SiO2含量为10~27at%。一种溅镀靶，其特征在于：系以申请专利范围第1项之溅镀靶之制造方法所制造，由Al2O3：0.2~3.0at%、MgO及/或SiO2：1~27at%、剩余部分为ZnO所构成。一种溅镀靶，其特征在于：系以申请专利范围第2项之溅镀靶之制造方法所制造，由Al2O3：0.2~3.0at%、MgO及/或SiO2：1~27at%、剩余部分为ZnO所构成。如申请专利范围第4或5项之溅镀靶，其中，MgO及/或SiO2含量为10~27at%。如申请专利范围第4或5项之溅镀靶，其相对密度为90%以上。如申请专利范围第4或5项之溅镀靶，其系用以形成光资讯记录媒体之保护层、反射层、或半透过层之靶。如申请专利范围第4或5项之溅镀靶，其中，靶之体电阻不满100mΩ．cm。 |
