| 主权项 |
一种晶片保险丝的制作方法，包括：形成一隔热层于一基板之一第一表面上，其中该隔热层之远离该基板的一第二表面为一粗糙面；形成一第一导电层于该第二表面上；以及形成一保护层于部分该第一导电层上，其中该第一导电层的其他部分暴露于该保护层之外，其中形成该隔热层的步骤包括：提供一背胶铜箔，其具有一铜箔层与一胶体层，该铜箔层具有一粗糙化表面，且该胶体层形成于该铜箔层的该粗糙化表面；将该背胶铜箔压合于该基板之该第一表面上，使得该铜箔层藉由该胶体层配置于该第一表面上；以及移除至少部分该铜箔层，使得该胶体层作为该隔热层，该隔热层的至少部分该第二表面暴露于外，且该隔热层的该第二表面为该粗糙面。如申请专利范围第1项所述之晶片保险丝的制作方法，其中在形成该保护层之前，更包括：形成一缓冲层于部分该第一导电层上，其中该缓冲层的材质为金铂合金、金钴合金或纯金；以及形成一第二导电层于该缓冲层上。如申请专利范围第1项所述之晶片保险丝的制作方法，其中该第二表面的中心线平均粗糙度大于或等于3000埃且小于或等于5000埃。如申请专利范围第1项所述之晶片保险丝的制作方法，更包括：形成两背面电极于该基板之一第三表面上，其中该第三表面相对于该第一表面；以及形成两端面电极于该基板之彼此相对之两端面上，其中各该端面连接该第一表面与该第三表面，且各该端面电极电性连接该第一导电层与该些背面电极之一。如申请专利范围第1项所述之晶片保险丝的制作方法，其中该隔热层的材质包括环氧树脂。一种晶片保险丝，包括一基板；一隔热层，配置于该基板之一第一表面上，其中该隔热层之远离该基板的一第二表面为一粗糙面；一第一导电层，配置于该第二表面上；以及一保护层，配置于部分该第一导电层上，该第一导电层的其他部分暴露于该保护层之外，该晶片保险丝更包括一铜箔层，配置于该隔热层的该第二表面上，其中，该铜箔层具有一粗糙化表面，且该隔热层的该粗糙面相接触于该铜箔层的该粗糙化表面，该铜箔层暴露部分该第二表面，且该第一导电层配置于该第二表面与该铜箔层上。如申请专利范围第6项所述之晶片保险丝，更包括一第二导电层及一缓冲层，该第二导电层配置于部分该第一导电层上，该缓冲层配置于该第二导电层与部分该第一导电层之间，其中该缓冲层的材质为金铂合金、金钴合金或纯金，且该保护层更覆盖该缓冲层及该第二导电层。如申请专利范围第6项所述之晶片保险丝，其中该第二表面的中心线平均粗糙度大于或等于3000埃且小于或等于5000埃。如申请专利范围第6项所述之晶片保险丝，其中该隔热层于该第一表面所形成的一正投影与该第一表面重合。如申请专利范围第6项所述之晶片保险丝，更包括：两背面电极，配置于该基板之一第三表面上，其中该第三表面相对于该第一表面；以及两端面电极，配置于该基板之彼此相对之两端面上，其中各该端面连接该第一表面与该第三表面，且各该端面电极电性连接该第一导电层与该些背面电极之一。如申请专利范围第6项所述之晶片保险丝，其中该隔热层的材质包括环氧树脂。如申请专利范围第6项所述之晶片保险丝，其中该隔热层的玻璃转换温度大于摄氏150度。如申请专利范围第6项所述之晶片保险丝，其中该隔热层的热传导率介于0.1 W/mK与1 W/mK之间。如申请专利范围第6项所述之晶片保险丝，其中该保护层更包括一第一保护层及一第二保护层，该第一保护层的材质包括环氧树脂，该第二保护层的材质包括聚醯亚胺，且该第一保护层配置于该第一导电层与该第二保护层之间。 |
