发明名称 雷射加工方法及半导体晶片
摘要
申请公布号 TWI346591 申请公布日期 2011.08.11
申请号 TW094109695 申请日期 2005.03.29
申请人 滨松赫德尼古斯股份有限公司 发明人 坂本刚志;福满宪治
分类号 B23K26/00 主分类号 B23K26/00
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种雷射加工方法,是使聚光点对准于表面上形成有包含复数功能元件之积层部的基板之内部来照射电射光时,沿着前述基板之切断预定线,在前述基板的内部形成作为切断之起点的改质领域之雷射加工方法,其特征为:包含有:在前述表面及表面侧端部之距离为5μm~15μm的位置,形成沿着前述切断预定线的第1改质领域之制程;及在前述第1改质领域及前述基板的背面之间的位置上,形成至少1列沿着前述切断预定线之第2改质领域的制程。如申请专利范围第1项之雷射加工方法,其中在前述表面及前述表面侧端部之距离成为5μm~10μm的位置形成前述第1改质领域。
地址 日本