| 主权项 |
一种检测器系统，其系经调适以于其中处理包含一第一气体之一物质，该系统包含：一该物质之取样区域，该取样区域定义一辐射传输路径；一红外线辐射源，其系经建构及配置成可发射红外线辐射进入该取样区域；以及一热电堆检测器，其系经建构及配置成可接收至少一部分通行穿过该取样区域后之红外线辐射并回应地产生与该物质相关之一输出信号；其中该系统更包含下列任一项之特征：(a)至少一气体导引元件，其被配置成可将一第二气体引入于该红外线辐射源及该热电堆检测器之间；(b)该辐射传输路径包含一内表面，该内表面之粗糙度在0.012μm Ra至1.80μm Ra之间；及(c)一不同于该红外线辐射源之加热元件，其适以加热该辐射传输路径之至少一部分。如申请专利范围第1项所述之检测器系统，其中该系统包含至少一气体导引元件，其系被配置成可将一第二气体引入于该红外线辐射源及热电堆检测器之间。如申请专利范围第1项所述之检测器系统，其中该辐射传输路径包含一内表面，该内表面之粗糙度在0.012μm Ra至1.80μm Ra之间。如申请专利范围第1项所述之检测器系统，其包含一加热元件，其系不同于该红外线辐射源且适以加热该辐射传输路径之至少一部分。如申请专利范围第2项所述之检测器系统，其中该第一气体包含可被沉积在该红外线源、该取样区域、及该热电堆检测器之任一者之内或上的多数粒子，且该至少一气体导引元件系适以减少该些粒子在该红外线源、该取样区域、及该热电堆检测器之任一者之内或上形成，或移除在该红外线源、该取样区域、及该热电堆检测器之任一者之内或上之该些粒子。如申请专利范围第2项所述之检测器系统，其中该至少一气体导引元件系适以沿着一大致上垂直于该第一气体之流动的方向来引入该第二气体。如申请专利范围第2项所述之检测器系统，其中该至少一气体导引元件系适以沿着一大致上平行于该第一气体之流动的方向来引入该第二气体。如申请专利范围第2项所述之检测器系统，其中该至少一气体导引元件系适以产生该第二气体(其包含经过该取样区域之该物质流)之一或多个包层。如申请专利范围第2项所述之检测器系统，其中该至少一气体导引元件包含至少一多孔媒介，该第二气体可流动通过此多孔媒介。如申请专利范围第2项所述之检测器系统，其中该第一气体包含一制程气体，且该第二气体包含一净化气体。如申请专利范围第3项所述之检测器系统，其中该内表面之粗糙度系在0.10μm Ra至0.80μm Ra之间。如申请专利范围第3项所述之检测器系统，其中该内表面之反射率在70%至99%之间。如申请专利范围第1项所述之检测器系统，其中该辐射传输路径系实质上为线性，以及其中该红外线辐射源与该热电堆检测器系沿着该辐射传输路径之相对端成一直线。如申请专利范围第1项所述之检测器系统，其中该取样区域系实质上与该红外线辐射源及该热电堆检测器隔离。如申请专利范围第1项所述之检测器系统，其系通讯耦合以自一上游化学气相沉积室接收该物质。一种半导体制程之操作方法，该半导体制程包括一包含一第一气体的物质之处理或使用一包含一第一气体的物质来处理，该方法包含：发射由一红外线辐射源所产生之红外线辐射进入一定义一辐射传输路径且包含该物质之取样区域；以一热电堆检测器来接收至少一部份该发射之红外线辐射；从该热电堆检测器产生一表示该物质之一所要成分存在之输出或一表示该物质之一所要成分浓度之输出；以及控制在该半导体制程中之一或多个条件及/或会影响该半导体制程之一或多个条件，以回应该输出，其中，该方法更包含下列任一项之特征：(a)一第二气体系流动通过至少一气体导引元件且被引入至该红外线辐射源及热电堆检测器之间；(b)该红外线辐射系沿着一包含一内表面之传输路径而被传送，该内表面的特征为其粗糙度系在0.012μm Ra至1.80μm Ra之间；及(c)由一不同于该红外线辐射源之加热元件加热该辐射传输路径之至少一部分。 |
