| 主权项 |
一种基板处理装置，系于将作为蚀刻遮罩所被使用的光阻剂图案进行溶解，而在基板形成新的光阻剂图案的回焊(reflow)制程中，实施前述进行溶解前的处理，其特征为，具备有：将用来使作为前述蚀刻遮罩所被使用的光阻剂图案所形成之变质层进行剥离的蚀刻液，供给至基板的第一处理液供给手段；将用来从前述变质层已被剥离的光阻剂图案除去不需要的阻剂的药液，供给至基板的第二处理液供给手段；将用来除去藉由前述第一或第二处理液供给手段而被供给至基板上的蚀刻液、或药液的冲洗液，供给至基板的第三处理液供给手段；进行从基板除去基板上之冲洗液的乾燥处理之乾燥手段；以及进行前述乾燥手段的动作控制之控制手段，前述控制手段，系在前述乾燥手段进行乾燥处理，俾以从基板除去被使用于前述蚀刻液的除去之冲洗液之际，至少在基板全面残存冲洗液的状态下，停止乾燥处理。如申请专利范围第1项之基板处理装置，其中，前述乾燥手段系由：藉由绕着垂直轴旋转前述基板，从基板除去并甩掉前述冲洗液的旋转夹持手段所构成，前述乾燥手段系在进行乾燥处理，俾以从基板除去被使用于前述蚀刻液的除去之冲洗液之际，前述控制手段系作动控制旋转夹头手段，俾使以1200rpm以下的基板旋转数，使基板旋转15至20秒的时间。如申请专利范围第1项之基板处理装置，其中，前述乾燥手段系由：藉由对于搬运手段所搬运的前述基板送出气体，以除去前述冲洗液的吹除(blow)装置所构成，前述吹除装置系在进行乾燥处理，俾以从基板除去被使用于前述蚀刻液的除去之冲洗液之际，前述控制手段系作动控制吹除装置和搬运手段的动作，俾使至少在基板全面残存冲洗液。如申请专利范围第3项之基板处理装置，其中，前述控制手段系作动控制吹除装置和搬运手段，俾使送出至基板的气体之每一单位长度的气体流量，成为0.4至0.6L/min．mm。一种基板处理方法，系于将作为蚀刻遮罩所被使用的光阻剂图案进行溶解，而在基板形成新的光阻剂图案之回焊制程之前予以实施，其特征为具备有：将用来使作为前述蚀刻遮罩所被使用的光阻剂图案所形成之变质层进行剥离的蚀刻液，涂布于基板之步骤；藉由冲洗液，除去前述基板上的蚀刻液之步骤；实施前述基板的乾燥处理，至少在基板全面残存冲洗液的状态下，进行处理之步骤；将用来从前述变质层已被剥离的光阻剂图案除去不需要的阻剂的药液，涂布于基板之步骤；藉由冲洗液，除去前述基板上的药液之步骤；及实施前述基板的乾燥处理，除去基板上的冲洗液之步骤。如申请专利范围第5项之基板处理方法，其中，在实施前述基板的乾燥处理，至少在基板全面残存冲洗液的状态下，进行处理之步骤中，实行使前述基板绕着垂直轴以1200rpm以下的基板旋转数，旋转15至20秒的时间之处理。如申请专利范围第5项之基板处理方法，其中，于实施前述基板的乾燥处理，至少在基板全面残存冲洗液的状态下，停止处理之步骤中，藉由一边以搬运手段搬运前述基板，一边从吹除装置送出气体至前述基板，俾使至少在基板全面残存冲洗液。如申请专利范围第7项之基板处理方法，其中，藉由一边以搬运手段搬运前述基板，一边从吹除装置送风至前述基板时，送风至基板的气体之每一单位长度的气体流量，成为0.4至0.6L/min．mm。 |
