| 主权项 |
一种制造半导体元件之方法，其包含：在基板上形成第一图案；在该第一图案上形成氧化物系层；在该氧化物系层上形成硬遮罩层；以第一基板温度来蚀刻该硬遮罩层；以及蚀刻该氧化物系层，以形成第二图案，其中，使用包括氟(F)及碳(C)的气体来作为主要蚀刻气体，以高于该第一基板温度的第二基板温度来蚀刻该氧化物系层。如申请专利范围第1项之方法，其中，包括F及C的气体系包含CxFy系气体，其具有大约1.6：1以下的碳氟比(y/x比率)，而x及y分别代表C及F的原子比。如申请专利范围第2项之方法，其中，该CxFy系气体包括C4F6气体及C5F8气体中之一种。如申请专利范围第2项之方法，其中，氧(O2)及氩(Ar)被添加至该CxFy系气体，藉以蚀刻该氧化物系层。如申请专利范围第4项之方法，其中，该CxFy系气体及该O2之流速的范围从大约0.5sccm至大约1.3sccm。如申请专利范围第1项之方法，其中，以范围从大约30℃至大约60℃的基板温度来蚀刻该氧化物系层。如申请专利范围第1项之方法，其中，执行自动对准接触点蚀刻处理以蚀刻该氧化物系层之步骤系包含使用硬遮罩层。如申请专利范围第1项之方法，其中，该第一图案包含闸极图案、位元线图案及金属线中之一种，且在上方部份具有氮化物系层，而该第二图案包含接触孔。一种制造半导体元件之方法，其包含：在基板上形成复数个闸极图案，每个闸极图案包括由导电层及氮化物系层所构成之堆叠结构；在该闸极图案上形成用于绝缘的氧化物系层；在该氧化物系层上形成硬遮罩层；使用光阻图案，以第一基板温度来蚀刻该硬遮罩层；以及利用该氧化物系层及该氮化物系层之间的选择性，以第二基板温度来执行自动对准接触点蚀刻处理，以蚀刻该氧化物系层，藉以形成接触孔，其中，使用包括氟(F)及碳(C)的气体来作为主要蚀刻气体，来蚀刻该氧化物系层。如申请专利范围第9项之方法，其中，该第一基板温度之范围从大约-60℃至大约20℃，而且该第二基板温度高于该第一基板温度。如申请专利范围第9项之方法，其中，该第二基板温度之范围从大约30℃至大约60℃，而且该第一基板温度低于该第二基板温度。如申请专利范围第9项之方法，其中，该第一基板温度之范围从大约-60℃至大约20℃，而且该第二基板温度之范围从大约30℃至大约60℃。如申请专利范围第9项之方法，其中，包括F及C的气体系包含CxFy系气体，其具有大约1.6：1以下的碳氟比(y/x比率)，而x及y分别代表C及F的原子比。如申请专利范围第13项之方法，其中，该CxFy系气体包括C4F6气体及C5F8气体中之一种。如申请专利范围第13项之方法，其中，氧(O2)及氩(Ar)被添加至该CxFy系气体，藉以蚀刻该氧化物系层。如申请专利范围第15项之方法，其中，该CxFy系气体及该O2之流速的范围从大约0.5sccm至大约1.3sccm。如申请专利范围第9项之方法，其中，该硬遮罩层包括选自以氮氧化矽(SiON)层、非晶形碳层、多晶矽层、有机聚合物层、无机聚合物层、氮化物系层及其组合所组成之群组中之一种。如申请专利范围第9项之方法，其中，执行该自动对准接触点蚀刻处理以蚀刻该氧化物系层之步骤，系包含在与用于蚀刻该硬遮罩层之设备实质相同的蚀刻设备中或在个别的蚀刻设备中，来蚀刻该氧化物系层。一种制造半导体元件之方法，其包含：在基板上形成蚀刻阻止层及绝缘层；在该绝缘层上形成硬遮罩层；以第一基板温度来蚀刻该硬遮罩层；以及以高于该第一基板温度的第二基板温度，使用包括CxFy系气体的气体来作为主要蚀刻气体，以蚀刻该绝缘层及该蚀刻阻止层，藉以形成露出该基板的接触孔，其中，该CxFy系气体具有大约1.5：1至1.6：1的碳氟比。如申请专利范围第19项之方法，其中，蚀刻该硬遮罩层之步骤系使用光阻图案以形成硬遮罩图案。如申请专利范围第20项之方法，其中，蚀刻该绝缘层之步骤系使用抗反射涂布层来作为蚀刻阻障。如申请专利范围第21项之方法，其中，更包含：除去该硬遮罩图案；蚀刻该剩余之蚀刻阻止层；使用导电材料，在合成基板结构(resultant substrate structure)上形成插栓；以及将该导电材料平坦化，直到露出该闸极硬遮罩为止，藉以在相邻之闸极图案之间形成沉降插栓。 |
