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一种振荡器电路，包含有：一电容器，其系一MOS电晶体；一可电性耦合至该电容器的一端之第一定电流源；一可电性耦合至该电容器之该端的第二定电流源；一控制电路，系耦合至该电容器之该端、一第一参考电位、及一第二参考电位，以便回应在该电容器之该端的电位与该等第一与第二参考电位的比较而切换在一第一操作与一第二操作之间，该第一操作系藉由电性耦合该第一定电流源至该电容器之该端，而将该电容器充电，该第二操作系藉由电性耦合该第二定电流源至该电容器之该端，而使该电容器放电；及一电路，系配置来回应在该切换发生在该第一操作与该第二操作之间的时序，而具有其呈现一信号转变的输出信号，其中该第一与第二参考电位是如此以致该MOS电晶体的一临界电压系不处在该第一与第二参考电位之间。如申请专利范围第1项所述之振荡器电路，其中该控制电路系配置来回应在该电容器之该端电位与该第一参考电位的一比较而从该第一操作切换至该第二操作，并回应该电器之该端电位与该第二参考电位的一比较而从该第二操作切换至该第一操作。如申请专利范围第2项所述之振荡器电路，其中该控制电路包含：一第一比较器，系配置来比较该电容器之该端电位与该第一参考电位；一第二比较器，系配置来比较该电容器之该端电位与该第二参考电位；一第一开关，系配置来将该电容器之该端耦合至该第一定电流源；一第二开关，系配置来将该电容器之该端耦合至该第二定电流源；及一逻辑电路，系配置以回应该第一与第二比较器之输出来控制该第一与第二开关的开/关。如申请专利范围第3项所述之振荡器电路，其中该逻辑电路系配置来控制该第一与第二比较器以致在该第一操作中，该第一比较器与该第二比较器分别被安置在一主动状态与一非主动状态，并且以致在该第二操作中，该第一比较器与该第二比较器分别被安置在一非主动状态与一主动状态。如申请专利范围第2项所述之振荡器电路，其中该控制电路系配置以回应该预定信号对一确立状态的变化来接收一来自一外部源的预定信号且开始该第一操作与该第二操作，并配置来在一既不是该第一操作也不是该第二操作正被执行的一状态下，能够将一等于该第二电位之电位设定在该电容器之该端。如申请专利范围第5项所述之振荡器电路，其中该控制电路包含：一第一比较器，具有其耦合至该电容器之该端且至该第一参考电位的输入节点；一第二比较器，具有其耦合至该电容器之该端且至该第二参考电位的输入节点；一第一开关，系配置来将该电容器之该端耦合至该第一定电流源；一第二开关，系配置来将该电容器之该端耦合至该第二定电流源；一逻辑电路，系配置以回应该第一与第二比较器之输出来控制该第一与第二开关的开/关；及一反馈路径，系配置以回应该第二比较器的一输出来调整该电容器耦合至该第二比较器之该等输入节点之一的该端之电位。如申请专利范围第6项所述之振荡器电路，其中该第二比较器的该等输入节点是一第一输入节点与一第二输入节点，并且该第二比较器系配置来能够切换在其中该第一输入节点与该第二输入节点分别当作一反相输入节点与一非反相输入节点的一第一状态与其中该第一输入节点与该第二输入节点分别当作一非反相输入节点与一反相输入节点的一第二状态之间。一种半导体记忆体装置，特征在包含有申请专利范围第1项的振荡器电路。 |
