| 主权项 |
一种半导体装置之制造方法，其特征在于：包含：(a)准备基板之步骤；(b)于前述基板搭载半导体晶片之步骤；(c)将搭载前述半导体晶片之基板载置于树脂成型用之成型模具之成型面之步骤；(d)以前述成型模具之第1模具与第2模具夹住前述基板保持之步骤；(e)于前述成型模具之腔填充密封用树脂之步骤；前述成型模具之第1模具具备可于与前述成型面交叉方向动作的弹性构造；于前述(d)步骤，前述成型模具之第2模具之成型面碰到前述基板后，藉由设于前述第1模具或第2模具之成型面之凸出部将前述第1模具压下。如请求项1之半导体装置之制造方法，其中前述基板为多层配线基板。如请求项2之半导体装置之制造方法，其中前述多层配线基板具有树脂与金属箔之层叠构造。如请求项2之半导体装置之制造方法，其中于前述(d)步骤，前述第2模具之成型面碰到前述多层配线基板处之压力较于前述凸出部之压力为小。如请求项2之半导体装置之制造方法，其中前述凸出部对于前述成型面之相对面之平面形状为圆形状。如请求项2之半导体装置之制造方法，其中前述凸出部之凸出长度与前述多层配线基板之厚度同等或较其为长。如请求项2之半导体装置之制造方法，其中前述成型模具具备：通到前述腔之排气孔；及凸出于前述排气孔之可动销，前述可动销以藉由弹性体可于与前述成型面交叉的方向动作的状态设置，于前述可动销的前述多层配线基板之对向面设有沟；于前述(d)步骤，将前述多层配线基板以第1模具与第2模具夹住保持，则前述可动销由前述多层配线基板按压之外，前述可动销以前述弹性体之反弹力按压前述多层配线基板；于前述(e)步骤，将前述腔内之空气通过前述排气孔及前述沟放出前述腔外部。如请求项7之半导体装置之制造方法，其中前述弹性体之弹力较前述成型模具之前述多层配线基板之保持力小。如请求项7之半导体装置之制造方法，其中设有复数前述排气孔，于每一前述排气孔设有前述可动销。如请求项2之半导体装置之制造方法，其中测定前述多层配线基板厚度，按照该测定值，调整前述(d)步骤之基板保持压力。一种半导体装置之制造方法，其特征在于：包含：(a)准备具有复数制品区域之多层配线基板之步骤；(b)于前述多层配线基板之前述复数制品区域之各个搭载半导体晶片之步骤；(c)将搭载前述半导体晶片之多层配线基板载置于树脂成型用之成型模具之成型面之步骤；(d)以前述成型模具之第1模具与第2模具夹住前述多层配线基板保持之步骤；(e)于前述成型模具之腔填充密封用树脂之步骤；前述成型模具之第1模具具备可于与前述成型面交叉方向动作的弹性构造，于前述(d)步骤，前述成型模具之第2模具之成型面碰到前述多层配线基板后，藉由设于前述第1模具或第2模具之成型面之凸出部将前述第1模具压下。如请求项11之半导体装置之制造方法，其中前述多层配线基板具有树脂与金属箔之层叠构造。如请求项11之半导体装置之制造方法，其中于前述(d)步骤，前述第2模具之成型面碰到前述多层配线基板处之压力较于前述凸出部之压力为小。如请求项11之半导体装置之制造方法，其中前述凸出部对于前述成型面之相对面之平面形状为圆形状。如请求项11之半导体装置之制造方法，其中前述凸出部之凸出长度与前述多层配线基板之厚度同等或较其为长。如请求项11之半导体装置之制造方法，其中前述成型模具具备：通到前述腔之排气孔；及凸出于前述排气孔之可动销；前述可动销以藉由弹性体可于与前述成型面交叉的方向动作的状态设置，于前述可动销的前述多层配线基板之对向面设有沟；于前述(d)步骤，将前述多层配线基板以第1模具与第2模具夹住保持，则前述可动销由前述多层配线基板按压之外，前述可动销以前述弹性体之反弹力按压前述多层配线基板；于前述(e)步骤，将前述腔内之空气通过前述排气孔及前述沟放出前述腔外部。如请求项16之半导体装置之制造方法，其中前述弹性体之弹力较前述成型模具之前述多层配线基板之保持力小。如请求项16之半导体装置之制造方法，其中设有复数前述排气孔，于每一前述排气孔设有前述可动销。如请求项11之半导体装置之制造方法，其中测定前述多层配线基板厚度，按照该测定值，调整前述(d)步骤之多层配线基板保持压力。如请求项11之半导体装置之制造方法，其中以前述密封用树脂形成之密封体系将前述复数半导体晶片整批密封者。如请求项11之半导体装置之制造方法，其中于前述(e)步骤后具有：(f)于前述多层配线基板形成凸块电极；(g)于前述(f)步骤后，将以前述密封用树脂形成之密封体及多层配线基板切断为每个前述复数半导体晶片之步骤。一种半导体装置之制造方法，其特征在于：包含(a)准备具有复数制品区域之多层配线基板之步骤；(b)于前述多层配线基板之前述复数制品区域之各个搭载半导体晶片之步骤；(c)将搭载前述半导体晶片之多层配线基板载置于树脂成型用之成型模具之第1模具之第1成型面之步骤；(d)以前述成型模具之第1模具与第2模具夹住前述多层配线基板保持之步骤；(e)于前述成型模具之腔填充密封用树脂之步骤；(f)于前述多层配线基板形成凸块电极；(g)于前述(f)步骤后，将以前述密封用树脂形成之密封体及多层配线基板切断为每个前述复数半导体晶片之步骤；前述第1模具具备可于与前述第1成型面交叉方向动作的弹性构造；于前述第2模具之第2成型面，较前述多层配线基板之外形离开之位置上以装卸自如状态设有向对于前述第2成型面交叉的方向凸出之凸出部；于前述(d)步骤，前述成型模具之第2模具之第2成型面碰到前述多层配线基板后，前述第2模具之第2成型面之凸出部将前述第1模具直接按压，将前述第1模具压下。如请求项22之半导体装置之制造方法，其中具有按照前述多层配线基板厚度，交换前述凸出部之步骤。 |
