发明名称 适用于流体输送装置之阀体盖体及阀体座之制造方法
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.08.11
申请号 TW097110048 申请日期 2008.03.21
申请人 研能科技股份有限公司 发明人 陈世昌;张英伦;余荣侯;邱士哲;何礼志
分类号 F16K3/26 主分类号 F16K3/26
代理机构 代理人 王丽茹 台北市内湖区瑞光路583巷27号4楼;曾国轩 台北市内湖区瑞光路583巷27号4楼
主权项 一种适用于流体输送装置之阀体盖体之制造方法,该流体输送装置系包含一阀体座、一阀体薄膜以及一致动装置,其系包含下列步骤:(a)提供一基板,并于该基板之一第一表面形成一第一遮罩层;(b)进行一喷砂加工制程,以使该基板未被该第一遮罩层覆盖之暴露区域形成复数个贯穿孔洞;(c)移除该第一遮罩层,并于该基板之该第一表面形成一第二遮罩层;(d)进行该喷砂加工制程,以于至少一该复数个贯穿孔洞之周围形成一凹陷区域;(e)移除该第二遮罩层,并于该基板之该第一表面形成一第一连接层,该第一连接层系包含设置于至少一该复数个贯穿孔洞周围之一微凸结构;(f)于该基板之一第二表面上形成一第二连接层。如申请专利范围第1项所述之适用于流体输送装置之阀体盖体之制造方法,其中该基板系由玻璃或是矽所形成。如申请专利范围第1项所述之适用于流体输送装置之阀体盖体之制造方法,其中该基板之厚度实质上为200~800μm。如申请专利范围第1项所述之适用于流体输送装置之阀体盖体之制造方法,其中该第一遮罩层、该第二遮罩层、该第一连接层及该第二连接层系为一感光型高分子乾膜。如申请专利范围第1项所述之适用于流体输送装置之阀体盖体之制造方法,其中该第一遮罩层、该第二遮罩层、该第一连接层及该第二连接层系以滚压附着的方式设置于该基板之表面上。如申请专利范围第1项所述之适用于流体输送装置之阀体盖体之制造方法,其中该微凸结构之厚度系大于该第一连接层之其它部分。如申请专利范围第1项所述之适用于流体输送装置之阀体盖体之制造方法,其中于该步骤(e)之后更包含:(e1)将该基板进行翻转促使该第二连接层系形成于该基板之外围区域。一种适用于流体输送装置之阀体座之制造方法,该流体输送装置系包含一阀体盖体、一阀体薄膜以及一致动装置,其系包含下列步骤:(a)提供一基板,并于该基板之表面形成一第一遮罩层;(b)进行一喷砂加工制程,以使该基板未被该第一遮罩层覆盖之暴露区域形成复数个贯穿孔洞;(c)移除该第一遮罩层,并于该基板表面形成一第二遮罩层;(d)进行该喷砂加工制程,以于至少一该复数个贯穿孔洞之周围形成一凹陷区域;(e)移除该第二遮罩层,并于该基板之表面形成一连接层,该连接层系包含设置于至少一该复数个贯穿孔洞周围之一微凸结构。如申请专利范围第8项所述之适用于流体输送装置之阀体座之制造方法,其中该基板系由玻璃或是矽所形成。如申请专利范围第8项所述之适用于流体输送装置之阀体座之制造方法,其中该基板之厚度实质上为200~800μm。如申请专利范围第8项所述之适用于流体输送装置之阀体座之制造方法,其中该第一遮罩层、该第二遮罩层、该连接层系为一感光型高分子乾膜。如申请专利范围第8项所述之适用于流体输送装置之阀体座之制造方法,其中该第一遮罩层、该第二遮罩层、该连接层系以滚压附着的方式设置于该基板之表面上。如申请专利范围第8项所述之适用于流体输送装置之阀体座之制造方法,其中该微凸结构之厚度系大于该连接层之其它部分。
地址 新竹市科学工业园区研发二路28号