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一种供一太阳能电池(solar cell)用之半导体基板(semiconductor substrate)，该半导体基板包含：一基板(substrate)，该基板具有一上表面；以及一表面钝化层(surface passivation layer)，使得经由吸收太阳光所产生的载子在表面发生复合(recombination)的机率减低，该表面钝化层系具有多个原子层，多个原子层是藉由一原子层沈积(atomic layer deposition,ALD)制程一层一层地形成于该基板之该上表面上，其中该表面钝化层系由选自由Al2O3、HfO2、Hf3N4、Si3N4、Ta2O5、TiO2、TiN、ZnO、ZrO2及Zr3N4所组成之一群组中之其一所制成，在一个原子层沉积的周期内的反应步骤包含：(1.)利用载送气体将一先驱物(precursor)分子导入反应腔体，吸附于基材表面形成单一层先驱物基；(2.)通入载送气体将多余未吸附于基材表面的先驱物分子抽走；(3.)利用载送气体将另一先驱物(precursor)分子导入反应腔体，与原本吸附在基材表面的单一层先驱物基，在基材表面反应形成单一原子层的薄膜；(4.)通入载送气体，带走多余的先驱物分子以及反应产生的副产物。如申请专利范围第1项所述之半导体基板，其中该表面钝化层之沉积系于一温度范围介于室温至600℃之制程温度下执行。如申请专利范围第2项所述之半导体基板，其中该表面钝化层并且系于一退火温度介于100℃至600℃之退火温度下执行退火。如申请专利范围第1项所述之半导体基板，其中该基板具有等于或小于300 μm之一厚度。如申请专利范围第4项所述之半导体基板，其中该基板系由矽制成。一种制造供一太阳能电池(solar cell)用之半导体基板(semiconductor substrate)之方法，该方法包含下列步骤：制备一基板(substrate)，该基板具有一上表面；以及藉由一原子层沈积(atomic layer deposition,ALD)制程，于该基板之该上表面上，一次一个原子层地形成一表面钝化层(surface passivation layer)，该表面钝化层使得经由吸收太阳光所产生的载子在表面发生复合(recombination)的机率减低，其中该表面钝化层系由选自由Al2O3、HfO2、Hf3N4、Si3N4、Ta2O5、TiO2、TiN、ZnO、ZrO2及Zr3N4所组成之一群组中之其一所制成，在一个原子层沉积的周期内的反应步骤包含：(1.)利用载送气体将一先驱物(precursor)分子导入反应腔体，吸附于基材表面形成单一层先驱物基；(2.)通入载送气体将多余未吸附于基材表面的先驱物分子抽走；(3.)利用载送气体将另一先驱物(precursor)分子导入反应腔体，与原本吸附在基材表面的单一层先驱物基，在基材表面反应形成单一原子层的薄膜；(4.)通入载送气体，带走多余的先驱物分子以及反应产生的副产物。如申请专利范围第6项所述之方法，其中该表面钝化层之沉积系于一温度范围介于室温至600℃之制程温度下执行。如申请专利范围第7项所述之方法，其中该表面钝化层并且系于一退火温度介于100℃至600℃之退火温度下执行退火。如申请专利范围第6项所述之方法，其中该基板具有等于或小于300 μm之一厚度。如申请专利范围第9项所述之方法，其中该基板系由矽制成。 |
