| 主权项 |
一种防止资料误写入之方法，包含下列步骤：提供一记忆装置，该记忆装置之一记忆体处于一防写状态；连接处于该防写状态之该记忆体至一主机端；利用该记忆装置之一控制模组依据连接之该主机端的一控制程式所发送出的一切换指令控制该记忆体解除该防写状态；及于解除该防写状态后，当该记忆装置与该主机端中断连接时，利用该控制模组控制该记忆体恢复该防写状态。如请求项1之防止资料误写入之方法，更包括：于解除该防写状态后，利用该控制模组依据连接之该主机端的该控制程式所发送出的另一切换指令控制该记忆体恢复该防写状态。如请求项1之防止资料误写入之方法，其中该连接步骤系为经由该记忆装置之一连接界面连接处于该防写状态之该记忆体至该主机端。如请求项3之防止资料误写入之方法，更包括：于解除该防写状态后，当该记忆装置之该连接界面未连接至该主机端时，将该记忆体恢复该防写状态。一种防止资料误写入之方法，包含下列步骤：提供一记忆装置，该记忆装置之一记忆体处于一防写状态；连接处于该防写状态之该记忆体至一主机端；利用该记忆装置之一控制模组依据连接之该主机端的一控制程式所发送出的一切换指令控制该记忆体解除该防写状态；及于解除该防写状态后，利用该控制模组依据连接之该主机端的该控制程式所发送出的另一切换指令控制该记忆体恢复该防写状态。如请求项5之防止资料误写入之方法，其中该连接步骤系为经由该记忆装置之一连接界面连接处于该防写状态之该记忆体至该主机端。如请求项6之防止资料误写入之方法，更包括：于解除该防写状态后，当该记忆装置之该连接界面未连接至该主机端时，将该记忆体恢复该防写状态。一种防止资料误写入之方法，包含下列步骤：提供一记忆装置，该记忆装置之一记忆体处于一防写状态；经由该记忆装置之一连接界面连接处于该防写状态之该记忆体至一主机端；利用该记忆装置之一控制模组依据连接之该主机端的一控制程式所发送出的一切换指令控制该记忆体解除该防写状态；及于解除该防写状态后，当该记忆装置之该连接界面未连接至该主机端时，将该记忆体恢复该防写状态。一种记忆装置，适用于连接于一主机端，该记忆装置包含：一记忆体，用以以一防写状态与该主机端形成连接；一连接界面，用以将该记忆体连接至该主机端；及一控制模组，连接该记忆体及该连接界面，用以依据该主机端所发送出的一切换指令控制该记忆体解除该防写状态，并且选择性控制该记忆体恢复该防写状态以致使该记忆体均系以该防写状态与该主机端形成连接。如请求项9之记忆装置，其中该记忆体系为一非挥发性记忆体。如请求项10之记忆装置，其中该非挥发性记忆体系选自ROM、PROM、EAROM、EPROM、EEPROM及快闪记忆体所构成之群组。如请求项9之记忆装置，其中该记忆体系为一挥发性记忆体。如请求项12之记忆装置，其中该挥发性记忆体系选自DRAM、eDRAM、SRAM、IT-SRAM及Z-RAM所构成之群组。如请求项9之记忆装置，其中该连接界面系选自通用串列汇流排、序列先进附加技术、IEEE 1394、PCMCIA、0000排输出入、CF输出入、SD输出入及MS输出入所构成之群组。 |
